이것이 갤S8에 들어갈 퀄컴 스냅드래곤835 스펙

[글로벌이코노믹 이재구 기자] “삼성전자 10나노공정에서 생산되며 성능이 27% 향상된다. 기가비트급 LTE모뎀이 처음 탑재된다. 렌더링속도는 25% 빨라졌다...”

폰아레나는 2일(현지시간) 웨이보에 등장한 유출된 퀄컴 스냅드래곤835칩셋 관련 슬라이드를 분석, 이같이 전했다.
스냅드래곤835 칩셋은 지난 해 11월 중순 처음 소개됐지만 자세한 내용이 밝혀지지 않았다. 지난 해 말 퀄컴은 미국에서 열리는 라스베이거스가전쇼(CES2017)에서 스냅드래곤835에 대한 자세한 정보를 공개 할 것이라고 발표했다.

유출된 슬라이드를 보면 스냅드래곤835는 삼성전자의 10나노미터 제조공정에서 만들어진다.

전작 스냅드래곤820칩셋보다 에너지소비효율을 높이면서 27% 향상된 성능을 제공한다. 스냅드래곤835칩셋의 X16 LTE 모뎀은 기가비트급 LTE 모뎀을 갖춘 최초의 칩셋이다.

슬라이드는 또한 이 칩이 퀄컴의 크라이오(Kryo)280 코어를 사용할 것임을 보여준다.

아드레노540 그래픽칩(GPU)는 전작 스냅드래곤820보다 60배 많은 색상을 지원하며 렌더링 속도도 25% 빨라졌다.

비디오 측면에서도 오픈GLES, 벌칸 및 다이렉트X12 그래픽을 사용한 10비트, 4K, 초당 60프레임(fps) 비디오 재생을 지원한다.
스냅드래곤835를 사용하면 더 큰 배터리 공간, 더빠른 자동초점 카메라 및 빠른 퀵차지4에 대한 공간을 확보 할 수 있게 된다. 퀵차지4는 퀵차지3보다 배터리를 20% 빠르게 작동시켜 준다. 이는 5분간 콘센트에 꽂아놓으면 5시간동안 사용할 수 있게 해준다는 의미다. 15분간 충전하면 배터리 셀의 50%를 채워준다.

스냅드래곤835 칩셋은 LG G6, 또는 삼성전자 갤럭시S8 등에 처음 사용될 것으로 예상된다.

LG G6는 2월말 스페인 바르셀로나에서 열리는 모바일월드콩그레스(MWC2017)에서, 삼성전자 갤럭시S8은 4월 뉴욕에서 각각 발표될 것으로 예상된다.
이재구 기자 jklee@