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삼성전자, 세계 최초 3나노 미세공정 개발...'시스템 글로벌 1위' 눈앞

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삼성전자, 세계 최초 3나노 미세공정 개발...'시스템 글로벌 1위' 눈앞

이재용 삼성전자 부회장이 2일 경기도 화성사업장 반도체연구소를 방문해 임직원들과 인사를 나누고 있다. 사진=삼성전자 제공이미지 확대보기
이재용 삼성전자 부회장이 2일 경기도 화성사업장 반도체연구소를 방문해 임직원들과 인사를 나누고 있다. 사진=삼성전자 제공
삼성전자가 업계 최초로 3nm(나노미터) 초미세 반도체 공정 기술 개발에 성공했다. 특히 삼성전자는 경쟁 업체 대만 TSMC보다 먼저 3나노 공정 개발에 성공하면서 2030년 시스템반도체 세계 1위를 달성하겠다는 목표에 한 걸음 더 가까워지게 됐다.

2일 삼성전자에 따르면 이재용 부회장은 이날 화성사업장 내 반도체연구소를 방문해 삼성전자가 세계 최초로 개발한 3나노 공정 기술을 보고받고 삼성전자반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문 사장단과 함께 차세대 반도체 전략을 논의했다.
3나노 반도체 공정 기술에는 반도체 미세화 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술 GAA(Gate-All-Around)가 적용됐다. GAA는 회로의 모든 면이 전류를 제어하는 게이트에 접촉된 구조로 최근 삼성전자가 공정 개발을 완료한 S나노 제품에 비해 칩 면적을 35% 줄이고 소비전력을 50% 감소시켜 처리 속도는 약 30% 향상시킬 수 있다. 삼성전자는 경쟁사와의 기술 격차를 최소 1년 이상 벌릴 것으로 기대하고 있다.

실제 TSMC는 올 하반기 5나노 공정기술을 양산에 적용하고, 3나노 공정기술은 오는 2022년이 되서야 양산에 적용할 것으로 알려졌다. 관련업계는 삼성의 3나노 공정기술 개발 속도에 따라 다르겠지만 이르면 올 하반기에 양산할 수 있다는 분석도 나오고 있다.

이재용 부회장은 3나노 공정 개발 성과를 보고받으면서 "과거 실적이 미래 성공을 보장해 주지 않는다"며 "역사는 기다리는 것이 아니라 만들어 가는 것이다. 잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고 새로운 미래를 개척해 나가자"고 말했다.


오만학 글로벌이코노믹 기자 mh38@g-enews.com