21일 업계에 따르면 SK하이닉스는 현존 최고 사양 D램 'HBM(High Bandwidth Memory·고대역폭메모리) 3D램'을 업계 최초로 개발했다.
SK하이닉스가 이번에 선보인 HBM3 D램 신제품은 1초당 819GB(기가바이트)의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 이전 세대 HBM2E와 비교해 속도가 약 78% 빨라진 제품이다.
이와 함께 이 제품에는 오류 정정코드가 내장돼 있다. 이에 따라 HBM3는 이 코드를 통해 D램 셀(Cell)에 전달된 데이터 오류를 스스로 수정할 수 있어 제품 신뢰도를 높였다.
SK하이닉스는 HBM3 D램을 16·24GB 두 가지 종류로 내놓는다.
업계 최대 용량인 24GB를 구현하기 위해 SK하이닉스 기술진은 단품 D램 칩을 A4 용지 한 장 두께의 1/3인 약 30 마이크로미터(μm, 10-6m) 높이로 갈아낸 후 이 칩 12개를 TSV(Through Silicon Via) 기술을 통해 수직으로 연결했다. TSV는 D램 칩에 수 천개 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다.
향후 HBM3는 고성능 데이터센터에 탑재되며 인공지능(AI) 완성도를 높이는 머신러닝과 기후변화 해석, 신약개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터에도 적용될 전망이다.
한현주 글로벌이코노믹 기자 kamsa0912@g-enews.com