SK하이닉스, TSMC 콘퍼런스서 차세대 메모리 공개

SK하이닉스가 미국 반도체 위탁생산(파운드리) 업체 TSMC가 여는 협력사 행사에서 차세대 메모리 제품과 개발 전략을 공개하고, 2년 연속 '올해의 파트너상'을 받았다.

SK하이닉스는 지난 23일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 'TSMC 오픈이노베이션플랫폼(OIP) 콘퍼런스'에 참가했다고 28일 밝혔다. OIP는 TSMC가 반도체 생태계 파트너사들과 기술을 함께 개발하고 협업하기 위해 매년 여는 행사로, SK하이닉스는 지난 2024년부터 참가해왔다.

이번 행사에서 SK하이닉스는 TSMC로부터 '3D패브릭-HBM 통합' 분야 올해의 파트너상을 받았다. 지난해에 이어 2년 연속이다. TSMC의 첨단 패키징 기술인 CoWoS를 기반으로 5세대 고대역폭메모리(HBM5)를 함께 검증한 협업 성과를 인정받았다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 용량과 데이터 처리 속도를 크게 높인 고성능 메모리다.


전시 부스에서는 엔비디아의 차세대 슈퍼칩 '베라 루빈(Vera Rubin)'에 탑재된 SK하이닉스의 HBM4 36GB 12단 제품과 96GB SOCAMM2(저전력 D램 기반 서버용 메모리 모듈)도 함께 소개됐다. HBM4는 그래픽처리장치(GPU) 코어 바로 옆에서 대량의 데이터를 빠르게 전달하는 역할을, SOCAMM2는 중앙처리장치(CPU)의 주 메모리로 AI가 긴 대화 맥락을 처리하는 데 필요한 데이터 이동을 돕는 역할을 한다는 설명이다. 이 밖에 HBM4E 48GB 12단, HBM4 48GB 16단, HBM3E 36GB 12단 등 HBM 라인업과 192GB SOCAMM2 실물도 함께 전시됐다.
서버용 D램·저장장치(SSD) 신제품도 공개됐다. D램은 업계 최대 용량인 256GB 3DS RDIMM, 고대역폭의 128GB MRDIMM, 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 64GB RDIMM이 나왔다. SSD는 액체냉각을 지원하는 'PEB210 E1.S'와 SK하이닉스 최초의 QLC 기반 제품인 'PS1101 E3.S' 등이 소개됐다.

발표 세션에서는 박대식 SK하이닉스 팀장이 반도체 설계 기업 케이던스와 함께 PCI 익스프레스(PCIe) 기술을 주제로 발표했다. 박 팀장은 AI 인프라 확대에 따라 PCIe 기반 SSD 시장이 2026년 509엑사바이트(EB)에서 2030년 1933EB로 약 3.8배 성장할 것으로 전망했다. 또 SK하이닉스가 하나의 칩을 여러 개의 작은 칩으로 나눠 연결하는 '칩렛' 기술을 활용한 차세대 SSD 솔루션을 개발 중이라고 소개했다. 칩 단위를 쪼개 개발 기간을 줄이고 세대 전환과 용량 확장을 유연하게 할 수 있다는 설명이다.

SK하이닉스는 "이번 OIP 컨퍼런스에서 2년 연속 올해의 파트너상을 수상하며 TSMC와 쌓아온 협력의 성과를 다시 한번 확인했다"며 "앞으로도 다양한 파트너들과 긴밀히 협업하며 AI 시대가 요구하는 메모리 솔루션을 함께 만들어 나가겠다"고 말했다.


유덕규 글로벌이코노믹 기자 udeok@g-enews.com