AI 붐 탄 1b DRAM 면적당 가치 0.654달러…TSMC 2나노 웨이퍼 단가 웃돌아

인공지능 확산이 메모리 수요를 견인하면서 최신 1b 규격 DRAM의 단위 면적당 추정 가치가 1제곱밀리미터당 0.654달러(약 894원)에 달해 TSMC 2나노 파운드리 웨이퍼 가공 가격 추정치를 산술적으로 웃돌았다.

IT 전문 매체 세미컨덕터는 2026년 9월 24일(현지시각) 시장분석업체 커널 인사이츠 조사를 인용해 1b DRAM 면적당 완제품 가치가 TSMC의 2나노 웨이퍼 면적당 단가 추정치를 54% 상회한다고 보도했다. 고밀도 메모리 완제품 가치가 첨단 파운드리 웨이퍼 가공비 상승세를 앞지르는 흐름을 나타내며 한국 반도체 공급망의 선단 공정 전환 전략에도 직접적인 영향을 미칠 수 있다.


반도체 위탁생산 시장을 주도하는 대만 TSMC의 최선단 웨이퍼 가공 단가는 미세 공정을 거듭할수록 가파르게 상승했다. 300밀리미터(㎜) 웨이퍼 기준 3나노(N3) 공정의 1장당 생산 비용은 약 2만 달러(약 2733만 원) 수준으로 추정된다.
이를 웨이퍼 단위 면적으로 나누면 1제곱밀리미터(㎟)당 약 0.283달러(약 387원)에 해당한다. 미세화 난도가 더 높은 차세대 2나노(N2) 공정 웨이퍼는 1장당 약 3만 달러(약 4100만 원)까지 치솟을 것으로 계산됐다.

2나노 웨이퍼의 1제곱밀리미터당 가공 단가는 약 0.424달러(약 579원)로 3나노 대비 50%가량 오른다. 해당 단가는 후공정 패키징을 거치기 전 순수 웨이퍼 제조 단계에 투입되는 가공 비용만을 반영한 추정치다.


반면 메모리 반도체는 동일 면적당 저장 용량을 확대하는 집적 기술 발전에 힘입어 면적당 가치가 빠르게 뛰었다. 커널 인사이츠 집계에 따르면 1y DRAM의 1제곱밀리미터당 추정 가치는 약 0.329달러(약 450원)로 나타났다.

후속 세대인 1z DRAM의 면적당 추정 가치는 약 0.410달러(약 560원)로 집계됐다. 가장 앞선 양산 규격인 1b DRAM의 면적당 추정 가치는 약 0.654달러(약 894원)까지 상승했다.

1b DRAM의 면적당 가치는 TSMC 2나노 웨이퍼의 면적당 가공 가격보다 약 54% 높은 수준이다. 시장 가격 지표인 디램익스체인지 자료에서도 16Gb DDR5 eTT 칩 평균 가격은 24.80달러(약 3만 3894원)로 확인됐다. 이는 1기가비트(Gb)당 약 1.55달러(약 2118원)에 달하는 수준이다.

고밀도 메모리의 면적당 가치 상승은 첨단 공정 비중을 확대하는 한국 메모리 제조사의 출하 구성에 영향을 미친다. 삼성전자와 SK하이닉스가 주도하는 1b 공정 양산 체제는 웨이퍼 면적당 산출 가치를 극대화하는 생산 경로로 연결된다. 구체적인 라인별 면적당 영업이익률은 공시되지 않았다.

다만 이번 수치 비교를 절대적 우열로 해석하기에는 구조적 한계가 뚜렷하다. TSMC 수치는 웨이퍼 가공 단계의 생산 단가인 반면, DRAM 수치는 패키징을 마친 완제품 칩 시장 가치를 기준으로 삼았기 때문이다.

완제품 메모리는 웨이퍼 가공 이후 칩 절단과 패키징 및 테스트 공정을 거치면서 추가 비용이 수반된다. 웨이퍼 제조 원가와 완제품 유통 판가를 단순 비교하는 방식은 제조 밸류체인 전반의 부가가치 배분을 왜곡할 위험을 안고 있다.

시장 흐름의 향방은 인공지능 서버용 메모리 수요가 현 수준의 가격대를 지탱할 수 있는지와 완제품 패키징 단가를 제외한 순수 마진 구조가 확인되는 시점에 달려 있다. 메모리 가격 강세가 유지될 경우 제조사 실적 개선 흐름이 이어질 수 있으나, 글로벌 빅테크 설비투자가 둔화하거나 패키징 수율 저하로 단위 비용이 상승할 경우 면적당 가치 우위는 축소될 수 있다.


김주원 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com