반도체 핵심 기술 中 유출…삼성 前임원·연구원 구속

삼성전자가 독자 개발한 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의로 반도체 전문가인 전직 임원과 수석연구원이 경찰에 함께 구속됐다.

서울경찰청 산업기술안보수사대는 6일 삼성전자와 하이닉스 반도체 부문 임원을 지낸 최모(66) 씨와 전직 삼성전자 수석연구원 오모(60) 씨를 산업기술법 위반과 부정경쟁방지 및 영업비밀보호법 위반 혐의로 전날 구속했다고 밝혔다.

이들은 삼성전자가 2014년 독자적으로 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 700여개를 무단 유출해 중국 기업인 청두가오전의 제품 개발에 사용하게 한 혐의를 받는다. 경찰은 구속 수사를 통해 구체적인 유출 경위와 정확한 피해 범위, 이들이 챙긴 경제적 이익 여부 등을 파악할 방침이다.


홍석경 글로벌이코노믹 기자 hong@g-enews.com