TSMC, 1.4나노 팹 준공 앞당겨…삼성 파운드리 격차 벌어지나

TSMC가 대만 타이중 중부과학단지에 들어서는 1.4나노미터 첫 번째 팹 상용화를 앞당겨 2028년 중반 대량 양산에 진입한다.

DQ인디아는 8월 2일(현지시각) 대만 상업시보를 인용해 TSMC가 초미세 공정 주도권을 선점하는 동안 2029년 양산이 목표인 삼성전자와의 격차가 1년으로 벌어진다고 보도했다.

첫 번째 팹 준공 시점은 2027년 4월 이전으로 당겨졌다. 이는 당초 시장이 예상했던 2028년 하반기 양산 일정보다 약 6개월 빠른 시간표다. 현장 기초 말뚝 박기 공사를 마무리하고 철골 구조물 설치 단계에 진입하면서 상용화 일정이 앞당겨졌다.

현장 건설 계약은 단계별로 순조롭게 체결됐다. 중앙 유틸리티 시설과 사무동 건물의 골조 공사도 본격적으로 진행 중이다.

계획한 총 4개 팹 가운데 첫 2개 건물은 이미 철골 구조 단계에 진입했다. TSMC는 인공지능 기반 이미지 인식 기술과 지능형 안전 검사 시스템을 도입해 현장 공기단축을 뒷받침한다.

인프라 확충은 현지 반도체 생태계 전반의 투자 확대로 이어진다. 공장 건설이 가시화하면서 현지 설비 엔지니어링, 클린룸 전문 업체, 부품 공급망 기업들의 동반 투자가 활발하게 일어난다. TSMC는 타이중 단지를 중심으로 첨단 공정 제조 기반을 다질 방침이다.


TSMC는 1.4나노 공정 개발에서 기존 2나노 개발 당시보다 빠른 진척을 보인다고 실적 발표 컨퍼런스콜에서 밝혔다. 내부 검증용 제품 평가에서 트랜지스터 성능은 목표치의 90% 수준에 도달했다.

반도체 제조 역량의 핵심 지표인 수율 측면에서도 긍정적인 수치를 제시했다. TSMC는 1.4나노 공정을 적용한 256메가비트 에스램 수율이 약 90% 수준에 도달하는 성과를 냈다. 높은 기술 완성도를 바탕으로 스마트폰 제조사와 인공지능, 고성능 컴퓨팅 분야 고객사들의 협력 문의가 이어진다.

글로벌 파운드리 시장 경쟁자들도 1.4나노급 공정 로드맵을 구체화하며 추격에 나선 상황이다. 인텔은 최근 실적 발표를 통해 2028년 중 1.4나노급인 14A 공정 대량 양산을 본격화한다는 계획을 재확인했다. 립부 탄 인텔 CEO는 2027년 하반기 자체 제품을 통한 위험 생산에 돌입한 뒤 2028년 대량 생산 체제로 전환할 계획이라고 설명했다.

삼성전자는 다소 늦은 시점에 상용화 대열에 합류할 전망이다. 업계에 따르면 삼성전자는 내부 일정을 조정해 2029년을 목표로 1.4나노 파운드리 공정 도입 준비를 이어간다.

계획대로 진행할 경우 삼성전자의 양산 시점은 TSMC보다 약 1년 늦다. 초미세 공정 양산 시간표 격차가 실제로 벌어지면 글로벌 빅테크 고객사 수주 확보전에서 한국 파운드리 레이스가 불리해질 수 있다는 분석이 나온다.


김주원 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com