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中은 범용 D램·美는 HBM 맹추격…삼성·SK ‘메모리 양강’ 흔든다

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中은 범용 D램·美는 HBM 맹추격…삼성·SK ‘메모리 양강’ 흔든다

CXMT·마이크론 수익성 앞서고 점유율 확대
한국 합산 D램 점유율 3%p 하락
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사진=연합뉴스
삼성전자와 SK하이닉스가 주도해온 글로벌 메모리 시장에서 중국 창신메모리(CXMT)와 미국 마이크론의 추격이 빨라지고 있다. 국내 기업들이 인공지능(AI)용 고대역폭메모리(HBM) 등 첨단 제품에 집중하는 사이 중국은 범용 D램을 중심으로 몸집을 키우고, 미국은 대규모 설비투자를 통해 HBM 생산능력을 확대하는 모습이다.

19일 업계와 외신 등에 따르면 올해 2분기 메모리업계 영업이익률은 CXMT가 82%로 가장 높았고 마이크론이 80.4%로 뒤를 이었다. 역대 최고 수준을 기록한 SK하이닉스(76.3%)와 삼성전자 반도체(DS) 부문(70%)보다도 높은 수치다.

D램 시장에서는 삼성전자와 SK하이닉스가 각각 39.4%, 24.9%의 점유율로 1·2위를 유지했다. 다만 양사의 합산 점유율은 1분기 67.3%에서 2분기 64.3%로 3%포인트 낮아졌다.

같은 기간 마이크론의 점유율은 22.4%에서 23.3%로 상승했다. 이에 따라 SK하이닉스와의 격차도 6.4%포인트에서 1.6%포인트로 좁혀졌다. CXMT 역시 7.6%에서 9.5%로 점유율을 끌어올리며 기존 3강 체제를 흔들고 있다. 2028년께 10%에 도달할 것으로 예상됐던 CXMT의 점유율 확대 시점도 2년가량 앞당겨질 전망이다.
CXMT는 기업공개(IPO)를 통해 14조원 규모의 자금을 확보하고 생산능력 확대에 나섰다. 차세대 모바일 D램인 LPDDR6 양산을 공식화하고 5세대 HBM인 HBM3E 테스트도 시작했다. 중국 업체와 한국 기업 간 기술 격차는 HBM 3년, D램 2년, 낸드플래시 1년 수준까지 좁혀졌다는 평가가 나온다.

HBM 시장에서는 마이크론의 추격이 변수로 떠올랐다. 올해 2분기 시장점유율은 SK하이닉스 50%, 삼성전자 33%, 마이크론 18%로 집계됐다. 마이크론은 지난해 월 4만~5만장 수준이던 웨이퍼 기준 HBM 생산능력을 올해 말 10만장까지 확대할 계획이다. 삼성전자와 SK하이닉스의 생산능력은 각각 월 15만~20만장 수준으로 추정된다.

마이크론은 2분기 양산을 시작한 HBM4 매출이 10억달러를 넘어선 데 이어 연말까지 HBM 생산의 절반 이상을 HBM4로 채울 것으로 기대하고 있다. 올해 설비투자 계획도 기존 200억달러에서 270억달러로 35% 늘렸다.

업계 관계자는 “중국 업체의 원가 경쟁력은 아직 한국 기업에 미치지 못하지만 공급 부족과 초과 수요가 성장 기회를 제공하고 있다”며 “메모리 호황이 장기간 이어지면 정부 지원을 등에 업은 미국과 중국 기업의 위협도 더욱 커질 것”이라고 말했다.


홍석경 글로벌이코노믹 기자 hong@g-enews.com