美 바이든 대통령, 삼성 차세대 반도체 시제품 본다

삼성전자가 조 바이든 미국 대통령에게 세계 최초 3나노미터(㎚, 10억분의 1m) 공정의 차세대 반도체를 선보일 것으로 알려졌다.

19일 업계에 따르면 삼성전자는 20일 평택 캠퍼스를 방문하는 바이든 대통령에게 조만간 양산에 돌입하는 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 세계 최초 3나노 반도체 시제품을 소개할 것으로 예상된다.
업계 관계자는 "삼성전자가 대만 TSMC보다 파운드리(반도체 위탁생산) 기술력이 뛰어나다는 점을 강조하기 위해 개발을 마친 3나노 제품을 공개할 것"이라며 "총수인 이재용 부회장이 직접 소개할 가능성도 있다"고 말했다.

바이든 대통령 평택공장 방문에는 삼성전자의 주요 고객사인 미국 반도체 기업 퀄컴의 크리스티아누 아몬 최고경영자(CEO)도 동행하는 것으로 알려졌는데 삼성전자가 3나노 공정을 통해 TSMC보다 미세공정 기술력이 앞선다는 점을 강조할 것이라는 관측이다.

삼성전자는 올해 상반기 중으로 GAA 기술을 적용한 3나노 1세대 제품 양산을 시작할 예정이다. 삼성전자는 이를 위해 기술 개발을 마치고 양산 돌입을 위한 준비를 진행 중인 것으로 전해졌다.

GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적은 줄이고 소비전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술로, 삼성전자는 GAA 기술을 적용해 TSMC보다 먼저 3나노 양산을 시작하는 것을 목표로 하고 있다.

전 세계 파운드리 1위 기업인 TSMC와 2위 삼성전자는 파운드리 미세공정을 두고 기술경쟁을 벌이고 있는데 업계에 따르면 양사 모두 아직 4나노 공정에 머물러 있다.


이덕형 글로벌이코노믹 기자 duck@g-enews.com