中 CXMT, 연말 차세대 서버용 D램 출시 예고…'4F²' 구조 적용

중국 D램 제조사 창신메모리(CXMT)가 연말까지 차세대 구조를 적용한 서버용 메모리를 내놓겠다고 밝혔다. 삼성전자와 SK하이닉스가 강세를 보여온 서버용 D램 시장으로 영역을 넓히겠다는 뜻으로 풀이된다.

중국 현지 보도에 따르면 차오칸위 CXMT 총재는 12일(현지시간) 한 행사에서 D램 설계 방식인 '4F²'를 이용한 서버용 메모리 'DDR5 RDIMM'을 연말까지 출시할 계획이라고 말했다. 이 제품은 서버에 꽂아 쓰는 D램 모듈이다.

차오 총재는 4F²가 D램 트랜지스터를 배열하는 방식의 혁신이라고 설명했다. 자체 개발한 'VSG' 트랜지스터가 전류가 흐르는 통로(채널)를 수직으로 감싸는 방식으로, 전류가 새는 문제를 줄이고 메모리 집적도는 높인다는 것이다. CXMT가 4F² 관련 특허를 여러 건 갖고 있다고도 소개했다.

반도체 업계에서는 웨이퍼 제조 공정에서 구현할 수 있는 가장 작은 선폭을 'F'라고 부른다. 4F²는 메모리 한 칸의 크기가 F 제곱의 4배라는 뜻이다. 현재 D램 업계의 주류는 6F²여서, 4F²로 바꾸면 같은 면적에 더 많은 트랜지스터를 넣을 수 있다. 중국 현지 보도는 서버용 시장은 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론이 우위를 보여 왔고 CXMT는 가전용에 집중해 왔다며, 이번 예고를 서버용 시장으로 영역을 넓히려는 시도로 해석했다.
중국의 한 학계 전문가는 세계 3대 메모리 제조사도 4F²나 이와 비슷한 3차원(3D) D램 로드맵을 추진 중이지만 아직 대규모 상업화에는 이르지 못했다고 말했다. 그는 CXMT가 4F² 기반 제품을 먼저 내놓으면 차세대 메모리 경쟁에서 앞서고 중국의 반도체 공급망 입지도 강해질 수 있다고 내다봤다. 다만 이번 보도에서는 제품의 구체적인 사양이나 양산 규모는 전해지지 않았다.

삼성전자와 SK하이닉스도 같은 방향을 가고 있다. SK하이닉스는 지난해 4F² 관련 로드맵을 공개했다는 보도가 나왔다. 삼성전자는 지난 3월 10나노(㎚) 이하 '10a' D램 공정으로 웨이퍼를 만들며 4F² 구조 등을 처음 적용한 것으로 전해졌다. 올해 안에 이 구조를 이용한 10a D램 개발을 마치고 내년 품질 테스트를 거쳐 2028년 양산을 목표로 하는 것으로 알려졌다.

한편 CXMT는 지난 7월 기업공개(IPO)로 최대 666억1000만 위안(약 13조2000억원)을 조달했다. 상장 첫날 주가가 급등해 중국 본토 증시 시가총액 1위에 올랐다는 보도도 나왔다. 8월에는 차세대 모바일 D램 LPDDR6 양산을 공식화했고, 지난달에는 5세대 D램 공정에서 양산에 들어갔다고 밝혔다.


유덕규 글로벌이코노믹 기자 udeok@g-enews.com