최태원 'D램 EUV시대' 열어...'미래 반도체 리더십 확보'

SK하이닉스가 EUV(극자외선) 노광장비를 활용한 '10나노급 4세대 D램' 양산에 성공해 차세대 D램 시장에서 유리한 고지를 점했다는 평가가 나오고 있다.

삼성전자가 연내 4세대 D램 양산 계획을 밝혔지만 양산을 공식화한 건 미국 마이크론에 이어 SK하이닉스가 세계에서 두 번째다.
13일 업계에 따르면 SK하이닉스는 차세대 10나노급 모바일용 ‘8Gb LPDDR4’ 양산을 이달 초 시작했다고 12일 발표했다.

이번 양산은 SK하이닉스가 EUV 공정 적용을 공식화한 이래 채 1년도 되지 않은 시점에서 이뤄졌다.

이에 따라 최태원 SK그룹 회장의 과감한 투자와 결단이 이번 성과로 이어졌다는 분석이 나오고 있다.

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이 제품은 선폭이 10나노(1㎚=10억분의 1m)급인 4세대 D램이다. 선폭은 반도체 업체 기술력을 나타내는 대표적인 척도다. 선폭이 좁을수록 작고 전력 효율성이 높은 반도체를 만들 수 있다.

특히 신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbpㆍ초당 메가비트)와 저전력을 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄인 반면 수율은 25% 향상했다.

업계에서는 고성능 반도체 공정에 3개월 가량이 걸린다는 점을 감안하면 첫 제품은 이르면 9월말 출시될 것으로 예상했다.
조영만 SK하이닉스 1a D램 TF장(부사장)은 “이번 1a D램은 생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품”이라며 “EUV를 본격 양산해 최첨단 기술을 선도하는 기업 위상을 공고히 할 수 있을 것”이라고 밝혔다.


한현주 글로벌이코노믹 기자 kamsa0912@g-enews.com