'메모리 초격차' 지킨다…삼성전자, 차세대 3D D램 R&D 조직 신설

삼성전자가 차세대 3차원(3D) D램 개발에 주력할 메모리 연구개발(R&D) 조직을 신설, 초격차 기술 경쟁력 확보에 나섰다.

28일 업계에 따르면 삼성전자는 미국 실리콘밸리에 있는 반도체 미주총괄(DSA)에 최첨단 메모리 연구개발 조직을 신설했다.
이 조직은 3D D램을 선제적으로 연구하고 개발할 예정이다. 현재 D램은 단일 평면에 셀이 촘촘히 배치된 2D 구조인데, 3D D램은 같은 면적에 집적도를 높여 성능이 더 뛰어나 메모리 업계의 '게임 체인저'로 불린다.

삼성전자는 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 상용화에 성공한 경험을 바탕으로 D램에서도 3차원 수직 구조 개발 선점을 목표로 한다는 방침이다.

지난해 10월 '삼성 메모리 테크 데이' 행사에서 삼성전자는 차세대 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있으며, 이를 통해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 계획을 밝혔다. 칩 면적을 줄여야 하는 한계를 3D 수직 구조로 극복하고 성능도 향상해 1개 칩에서 용량을 100기가바이트(Gb) 이상 늘린다는 것이다.

성전자는 지난해 일본에서 열린 'VLSI 심포지엄'에서도 3D D램 연구성과가 담긴 논문을 발표하면서 3D D램의 실제 반도체로 구현한 상세한 이미지를 제시한 바 있다.

삼성전자뿐만 아니라 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리기업 모두 3D D램 기술 선점을 위해 앞다퉈 개발 중이며 창신메모리(CXMT), 중국과학원 등 중국 기업도 3D D램 연구에 집중하며 한국 메모리 기업들을 추격하고 있다.


이상훈 글로벌이코노믹 기자 sanghoon@g-enews.com