667억 위안 쏜 창신메모리, 삼성이 지킨 HBM 해자 ‘우회 돌파’ 노린다

중국 최대 메모리 반도체 기업 창신메모리(CXMT)가 상하이 증권거래소 기업공개(IPO)를 통해 대규모 자금을 조달한다. 인공지능(AI) 메모리 반도체 수요가 폭발하는 시점에 맞춘 행보다. 반도체 시장 전문가들은 이번 기업공개가 중국이 미국의 규제를 피해 독자적인 인공지능 공급망을 다지는 마중물이 될 것으로 내다본다.

동시에 중국 팹리스 기업 DFSX는 자체 14나노미터(nm) 미세공정과 3차원(3D) D램을 결합한 인공지능 가속기를 공개했다. 미국의 기술 통제를 우회하려는 중국 반도체 자립 움직임은 범용 D램을 넘어 고대역폭메모리(HBM) 영역의 빈틈을 파고들고 있다.

삼성전자와 SK하이닉스가 장악해온 인공지능 메모리 해자를 중국 자본이 우회 돌파하려는 본격적인 승부다. 한국 투자자도 관련 기업들의 주가와 수급 변화를 주시해야 할 국면이다.


영국 파이낸셜타임스(FT)는 CXMT가 상하이 증권거래소 과학혁신판(STAR Market) 상장을 위해 최대 667억 위안(약 14조 5800억 원) 조달을 목표로 하는 자료를 제출했다고 지난 7월 15일(현지시각) 보도했다. 이 금액은 상단 기준 추정치다.
이번 기업공개는 2010년 중국농업은행 상장 이후 중국 본토에서 가장 큰 규모다. 다만 증권가 일각에서는 공모 규모가 295억 위안(약 6조 4500억 원) 안팎에 머무를 수 있다는 관측을 내놓기도 했다.

초과배정 옵션을 적용하지 않은 기본 공모 규모는 579억 위안(약 12조 6600억 원)이다. 발행 주식 수는 66억 주다. 공모가는 주당 8.66위안으로 확정됐다. CXMT는 조달한 자금을 D램 생산 라인 확대와 차세대 메모리 기술 연구개발(R&D)에 집중 투입한다.

CXMT는 상하이 증권거래소에 제출한 투자설명서를 통해 올해 1분기 순이익이 330억 위안(약 7조 2100억 원)을 기록하며 사상 최고치를 경신했다고 밝혔다. 이번 기업공개로 확보하는 실탄은 고성능 DDR5와 차세대 메모리 설비 투자로 연결된다.

시틱CLSA는 15일 보고서에서 단기적으로 상장 직후 공모주로 수급이 쏠려 기존 과학혁신판의 고밸류 기술주에는 차익 매물 부담이 커질 수 있다고 분석했다.

미국의 첨단 장비 반도체 수출 통제로 HBM 제조에 어려움을 겪던 중국은 패키징 기술 혁신으로 돌파구를 찾고 있다. 국내 반도체 학계 2026년 7월 조사 자료에 따르면 삼성전자는 1c D램과 HBM4 수율을 60%대까지 끌어올리며 양산 준비를 마쳤다. 반면 중국은 HBM 공정 대신 패키징과 3D D램 적층으로 대역폭을 우회 확보하는 전략을 택했다.

정보기술(IT) 전문 매체 Wccftech는 중국 팹리스 기업 DFSX가 독자 기술로 개발한 인공지능 가속기 ‘DF1000’을 발표했다고 지난 15일 보도했다. Wccftech는 해당 칩이 수입에 의존하는 HBM 대신 중국 내 공급망으로 조달한 3D D램을 하이브리드 본딩 기술로 수직 적층했다고 전했다. DF1000은 14나노미터 공정으로 제조했음에도 초당 6.4테라바이트(TB)에 이르는 메모리 대역폭을 확보했다.

DFSX는 공정 미세화 한계를 극복하기 위해 칩 여러 개를 수직과 수평으로 이어 붙이는 ‘3.5D 인피니티 칩렛’ 아키텍처를 도입했다. 반도체 패키징 학회가 발표한 기술 분석 자료를 보면 3.5D 구조는 기존 2.5D 인터포저 기반보다 데이터 경로를 짧게 만든다. 동시에 완전한 3D 적층이 가진 열과 수율 부담을 줄이려는 타협안으로 분류된다. HBM을 쓰지 않고도 3D D램 적층과 패키징 설계 변경을 통해 물리적 병목 현상을 해결하겠다는 구상이다.

Wccftech는 DFSX가 오는 4분기 성능을 배로 높인 차세대 칩 ‘DF2000’ 생산에 들어간다는 로드맵을 제시했다고 보도했다. DF2000은 초당 15테라바이트(TB)의 대역폭을 목표로 삼았다. 차세대 모델인 DF3000은 2028년 시장 진입을 예고했다.

그러나 반도체 소자 연구소 전문가들은 중국 내 성숙 공정의 한계와 초기 양산 가동률을 고려할 때 실제 구현 가능성과 대량 양산 수율에 대해서는 여전히 회의적인 시각이 지배적이라고 평가했다.


중국의 대규모 자금 조달과 독자 패키징 기술 개발은 한국 반도체 기업들에 직접적인 위협 요인이다. 그동안 범용 저가 DDR4 시장에 머무르던 중국 자본이 DDR5와 3D D램으로 체질을 바꿀 기회를 잡았기 때문이다.

파이낸셜타임스(FT)는 애플이 미 국방부 블랙리스트에 오른 CXMT로부터 메모리 칩을 구매하기 위해 미국 정부의 승인을 얻으려고 로비 활동을 벌이고 있다고 15일 보도했다. 시장 분석가들은 이 보도를 바탕으로 중국산 메모리의 품질 신뢰도가 시장 기준선에 도달했음을 보여준다고 해석했다. 중장기적으로는 중국의 기술 자립 속도가 빨라질수록 삼성전자와 SK하이닉스가 누려온 차세대 D램 점유율 방어선이 좁아질 수밖에 없다.

증권가 자산운용사 및 반도체 산업 분석가들은 한국 투자자가 관측해야 할 핵심 지표와 대응 시나리오를 구체적으로 제시했다.

첫째, 전문가들은 CXMT의 상장 직후 설비투자(CAPEX) 집행 속도와 양산 일정을 최우선으로 지켜봐야 한다고 조언했다. 기업공개 완료 후 6개월 안에 DDR5 생산라인 증설 착공이 이뤄지는지 확인해야 한다. 전문가들은 12개월에서 18개월 사이에 양산 속도를 끌어올리는지가 관건이라고 보았다. 이는 한국 반도체 업계의 D램 현물 가격 조율과 설비투자 사이클 변동에 직접적인 영향을 주는 요인이다.

둘째, 미국 정부의 애플향 메모리 채택 승인 여부가 한국 기업의 중장기 주가 향방을 가를 변수라는 분석이다. 시장 관계자들은 애플이 아이폰과 맥용 공급망 다변화를 위해 중국산 칩 진입 승인을 받아낼 경우, 한국 기업들의 고부가 모바일 D램 공급 전선에 균열이 생긴다고 내다봤다. 이는 한국 기업들의 가치평가(밸류에이션) 재평가 압박으로 이어질 수 있다.

셋째, 중국 DFSX가 예고한 3D D램 인공지능 가속기의 실제 대량 양산 수율 검증이 필수적이다. 반도체 소자 업계 전문가들은 통상적인 메모리 양산 안정화 기준선인 80% 이상의 수율을 확보해야 한다고 지적했다. 최소 1년에서 2년간 안정적인 공급 능력을 입증해야만 글로벌 엔비디아 공급망의 일부라도 대체할 수 있다는 판단이다.

시장의 단기 과잉 공포에 휩쓸리기보다 실제 기술 구현과 가동률 지표를 차분히 떼어 놓고 봐야 한다는 시각이 설득력을 얻고 있다.


김주원 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com