도쿄일렉트론, 구마모토에 차세대 노광 개발 시설 20년 만에 신설

일본 반도체 회사 도쿄일렉트론은 17일 코터·디벨로퍼(포토리소그래피를 위한 감광성 물질을 웨이퍼에 도포하고 현상하는 데 사용)를 개발하고 제조하는 자회사 도쿄일렉트론 규슈에 개발 시설을 신설했다고 밝혔다.

도쿄일렉트론이 자국 내에 개발 시설을 신축하는 것은 약 20년 만으로 2026년 봄께 가동될 예정이다.

신개발 시설의 총 투자액은 약 470억 엔(약 4449억8000만 원), 연면적은 약 2만7000제곱미터다.

이를 통해 클린룸 면적을 기존 대비 약 2배로 확대하는 한편, 동시에 개발 효율도 기존 대비 약 2배로 높여 기술 개발량을 약 4배까지 늘릴 계획이다.
도쿄일렉트론 규슈 하야시 신이치 사장은 개발동 준공에 맞춰 실시한 현지 기자회견을 통해 “도쿄일렉트론이 다루는 모든 장비에서 세계 시장 점유율 1위를 목표로 한다”고 기대감을 드러냈다.

도쿄일렉트론은 코터·디벨로퍼와 세정 장비 부문에서 막대한 점유율을 차지하고 있다. 특히 극자외선(EUV) 노광장비용 코터·디벨로퍼에서는 점유율 100%를 자랑한다. 향후 회로선 폭이 2나노미터급(나노는 10억분의 1) 이하로 미세화되는 추세를 앞서 기술 개발을 추진할 계획이다.

특히 새 개발 시설에서는 차세대 노광장비로 기대되는 고NA(개구수) EUV 노광장비 관련 기술을 집중 도입할 예정이다. 도포 현상 및 세정 공정은 노광 공정과 함께 사용된다. 반도체 업계에서는 노광 장치 발전에 발맞춰 기술 개발을 추진하는 것이 점유율 지속 확보를 위한 지름길이라고 분석하고 있다.

로직 반도체에서는 현재의 첨단 트랜지스터 구조인 게이트 올 어라운드(GAA)의 차세대 기술인 상보형 전계 효과 트랜지스터(CFET), DRAM에서는 3차원(3D) 실제 도입이 크게 확대될 전망이다.

도쿄일렉트론은 신규 개발 시설 가동을 진행해 이런 기술 트렌드에 발맞추겠다는 입장이다.

또한 향후 해당 개발 시설 내에 에칭 장비 및 성막 장비를 설치하는 한편, 회로를 형성하는 패터닝 공정 관련 장비를 갖춰 고객사인 반도체 제조사가 제조 공정을 일괄 평가할 수 있도록 할 예정이다.

이에 대해 일본 공업전문지 뉴스위치는 “첨단 반도체 분야에서는 TSMC가 '1강'으로 자리잡고 있다”라며 “TSMC는 이미 CFET 시제품 제작도 시작했으며, 반도체 제조 장비 업체들 입장에서는 TSMC의 기술 추격을 위해 다양한 시설들을 도입하고 있다”라고 전했다.


이용수 글로벌이코노믹 기자 piscrait@g-enews.com