미 국방부, 울프스피드에 15억 달러 대출… 전력반도체 자급 속도

미국 정부가 핵심광물 내재화에 나선 가운데 이번에는 미국 전력반도체 기업 울프스피드가 미국 국방부로부터 최대 15억 달러(약 2조 970억 원) 규모의 조건부 대출 약정서를 수령했다. 미국 정부가 차세대 첨단 전력반도체의 자급망을 강화하려는 정책적 의도가 이번 자금 지원에 반영된 것으로 해석된다.

로이터통신은 7일(현지시각) 울프스피드가 미국 내 실리콘카바이드 소재 생산 확대를 위해 미 국방부와 이 같은 조건부 대출 약정을 체결했다고 보도했다.

울프스피드는 실리콘 반도체보다 효율과 내구성이 극도로 뛰어난 실리콘카바이드(SiC)와 고주파 에피택시 기술 등에 쓰이는 갈륨나이트라이드(GaN) 반도체의 세계 선두 주자 기업이다. 이 소재들은 군사용 레이더, 첨단 방산 장비, 전기차, 고성능 AI 데이터 센터의 전력 제어에 필수인 소재다.

국방부 30년 만기 지원과 재무 기반 확충
울프스피드는 미 국방부 산하 전략자본사무소를 통해 30년 만기 조건부 대출 지원을 받게 된다. 울프스피드는 이번 조치가 자본 구조를 최적화하고 재무 기반을 개선하려는 노력을 반영한다고 밝혔다.

대출 지원 소식이 전해진 직후 뉴욕증시 시간 외 거래에서 울프스피드 주가는 27% 급등하며 시장의 기대를 반영했다.

이번 금융 지원은 미국 정부가 방산 및 주요 산업 인프라용 첨단 반도체 공급망을 본국 내에 확보하려는 조치의 연장선이다. 울프스피드는 장기 자금을 확보함에 따라 고전력 반도체 제조 시설에 대한 투자를 안정적으로 진행할 수 있는 여력을 갖추게 됐다.

SiC와 GaN 생산 확대 투자

울프스피드는 확보한 자금을 바탕으로 실리콘카바이드(SiC) 소재와 와이드 밴드갭 전력 소자의 미국 내 생산을 확대할 계획이다. 실리콘카바이드 기반 반도체는 고전압 환경에서 에너지 효율이 높아 전기차, 태양광 인버터, 산업용 전력 시스템에 널리 활용된다.
아울러 차세대 통신 인프라와 전자전 시스템을 겨냥한 질화갈륨(GaN) 기술 고도화에도 자금을 투입한다. 기존 SiC 및 향후 GaN 제품 라인 전반에 대한 방사선 내성 역량 개발도 병행한다. 이는 방산 장비와 우주·항공 환경 등 극심한 방사선 조건에서도 작동하는 반도체 기술 역량을 확보하기 위한 차원이다.


조건부 약정에는 미 국방부가 울프스피드의 완전희석 기준 지분 최대 7.5%를 매입할 수 있는 신주인수권(워런트)를 발행해야 한다는 조항이 포함됐다.

대출금이 단계적으로 집행되는 일정에 맞춰 순차적으로 워런트가 발행되는 구조다. 이에 따라 미 국방부는 단순 대출자를 넘어 잠재적 지분을 보유한 정책 주주 지위를 갖게 된다.

거액의 조건부 신용 공급 및 정책 금융에 따른 위험 보상과 세금 투입에 대한 반대급부로 워런트를 요구하는 금융 구조를 적용한 것이다.

대출 실행은 실사, 확정 계약서 체결, 정부 부처 승인 등 선결 조건을 충족해야 최종 확정된다.

이번 약정은 자금 집행이 최종 확정되지 않은 조건부 단계로, 향후 세부 계약 체결 여부가 주요 관전 포인트다.

미국 국방부가 직접 자금 지원에 나서면서 차세대 전력반도체 분야의 미국 내 공급망 구축은 속도를 낼 전망이다. 시장에서는 향후 세부 계약 체결과 실사 절차가 차질 없이 진행될지 여부를 주목하고 있다.


심완섭 글로벌이코노믹 기자 ciberwld@g-enews.com