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머스크 "중국 범용 메모리 반도체는 추격해도 HBM 진입 여전히 난제"

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머스크 "중국 범용 메모리 반도체는 추격해도 HBM 진입 여전히 난제"

CXMT 설계 개선 발표에 공급 과잉 공포 확산…글로벌 3사 시총 1,080억 달러 증발
머스크 "배터리·태양광과 달라…적층·냉각 기술 집약된 첨단 반도체는 어려울 것"
SK하이닉스·삼성전자 급락…중국 반도체 점유율 9.5% 급등 속 시장 충격 확산
테슬라 최고경영자(CEO)이자 X의 소유주인 일론 머스크가 파리에서 열린 비바테크 컨퍼런스에 참석하고 있다. 사진=로이터이미지 확대보기
테슬라 최고경영자(CEO)이자 X의 소유주인 일론 머스크가 파리에서 열린 비바테크 컨퍼런스에 참석하고 있다. 사진=로이터

[핵심 포인트]


○ 일론 머스크는 중국의 막강한 대량 생산 능력에도 불구하고 고대역폭 메모리(HBM) 등 첨단 반도체 영역은 공정 난도가 높아 진입 장벽이 여전히 높다고 평가했다.

○ 중국 창신메모리(CXMT)의 칩 설계 개선 발표 직후 글로벌 메모리 공급 과잉 우려가 번지며 마이크론, SK하이닉스, 샌디스크 등 주요 기업의 시가총액이 1,080억 달러 급감했다.

○ CXMT의 D램 시장 점유율이 상승세를 보이는 가운데, 정규장 및 시간외 거래에 이어 한국증시에서도 SK하이닉스와 삼성전자 주가가 큰 폭으로 하락했다.

머스크 "중국 양산 능력 막강하나 HBM 장벽 높아"


일론 머스크는 소셜미디어 X(옛 트위터)를 통해 중국이 일단 제조 방식을 터득하면 전 세계를 압도하는 대량 생산 능력을 발휘하지만, 첨단 메모리 반도체 분야에서는 경쟁 우위를 확보하기가 쉽지 않을 것이라고 밝혔다.

13일(현지시각) 글로벌 금융 미디어 벤징가에 따르면 머스크는 중국의 제조 규모 확장이 리튬 배터리와 태양광 발전 분야에서 두드러지게 나타났다고 설명하며, 자사 스페이스X가 전 세계 다른 기업을 합친 것보다 약 10배 많은 질량을 궤도에 올리는 드문 예외일 뿐이라고 평가했다. 이어 휴대폰이나 노트북용 저전력 D램 등 범용 메모리는 중국이 빠르게 표준 기술을 따라잡고 있으나, 고대역폭 메모리(HBM)나 프로세서 위에 메모리를 직접 쌓아 올리면서 냉각을 유지하는 첨단 패키징 설계는 극복하기 훨씬 까다로운 영역이라고 강조했다.

CXMT 기술 발표에 흔들린 메모리 시장…시총 1,080억 달러 증발


이번 발언은 중국 대표 D램 제조사인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 AI 관련 공급 제약을 완화할 수 있는 설계 개선 사항을 공개한 뒤 나왔다. 해당 발표는 시장 내 경쟁 심화와 공급 과잉 우려를 자극했고, 글로벌 메모리 관련주에 거센 매도세를 불러일으켰다.

이에 따라 마이크론 테크놀로지, SK하이닉스, 샌디스크 등 3개 기업의 시가총액은 단 하루 만에 총 1,080억 달러가량 증발했다. 칩 아키텍처 발표와 실제 대규모 양산 간 격차에 의문을 제기하는 분석도 제기됐으나, 투자 심리 위축을 막지 못했다.

CXMT 점유율 약진과 글로벌 반도체주 동반 급락


시장조사업체 트렌드포스에 따르면 CXMT의 2분기 글로벌 D램 매출 점유율은 1분기 7.6%에서 9.5%로 상승하며 입지를 빠르게 넓히고 있다. 여전히 삼성전자가 39.4%, SK하이닉스가 24.9%, 마이크론이 23.3%를 차지하며 시장을 주도하고 있으나 중국 업체의 추격 속도는 위협적인 수준이다.

이런 여파로 12일 뉴욕증시에서 마이크론 주가는 3.88% 하락한 뒤 시간외 거래에서 1.40% 추가 하락했다. SK하이닉스 ADR 역시 4.02% 떨어진 뒤 시간외에서 1.17% 더 밀렸으며, 샌디스크는 정규장 5.97% 급락에 이어 시간외에서도 2.24% 내렸다. 충격은 한국증시로도 직결돼 SK하이닉스가 13일 오후 2시 16분 현재 8.54% 급락한 135만 원, 삼성전자가 7.09% 하락한 23만 3,000원에 거래되고 있다.


이인수 글로벌이코노믹 기자 tjlee@g-enews.com


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