삼성·SK, 메모리 반도체 비전... 소셜·스마트·개방 제시

삼성전자와 SK하이닉스가 디지털 대전환 시대에 차세대 메모리 반도체 화두로 사회적 가치와 생태계 전체와 협력하는 개방형 혁신을 제시했다.
이석희 SK하이닉스 사장과 한진만 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장·부사장은 15일 세계반도체연합(GSA)가 개최한 '2021 GSA 메모리 플러스 온라인 컨퍼런스' 기조연설을 통해 메모리 반도체가 직면한 도전과 새로운 역할에 대해 이같이 강조했다.


이 사장은 “신종 코로나바이러스 감염증(코로나19)로 디지털 대전환을 맞은 시대에 데이터 처리 수요가 폭증해 메모리 역할이 커지고 있다”며 “메모리 활용 범위 확대와 함께 기존 전통적인 스케일링(미세 공정) 가치 외에 소셜과 스마트로 가치가 확장하고 있다”고 말했다.

반도체 업체들이 기존에 주력해온 본연의 가치인 칩 크기 축소 뿐만 아니라 환경 등 사회적 가치, 인공지능(AI) 등 차세대 기술과 연결된 혁신적인 메모리 솔루션까지 갖춰야 이전과는 다른 '비욘드 메모리(Beyond Memory)' 혁신을 주도한다는 설명이다.

이 사장은 이어 "이러한 혁신을 위해 반도체 생태계 전체 협력이 필요하다"며 "협력 기반의 동반자 관계로 바뀌고 고객과 시장에 새로운 가치와 기회를 제공해야 한다"고 덧붙였다.

SK하이닉스는 최근 극자외선(EUV) 미세공정이 처음 적용된 10나노급 4세대(1a) 모바일 D램 양산에 돌입했다.

한 부사장은 폐막 기조연설에서 인공지능(AI)과 빅데이터 활용으로 급증하는 데이터 폭증에 대해 메모리 반도체가 직면한 도전과 새로운 역할에 대해 발표했다.

그는 “삼성전자는 새로운 시스템 아키텍처를 지원할 수 있는 차세대 메모리 솔루션 개발을 주도하고 있다”며 “빠르고 복잡하게 변화하는 정보기술(IT)업계에 적합한 메모리 반도체 기술을 지속 개발하기 위해 글로벌 기업들과 협력해 개방형 혁신에 앞장설 것”이라고 말했다.

삼성전자는 메모리 업계 최초로 극자외선(EUV)과 하이케이 메탈 게이트(HKMG) 공정 기술을 적용한 D램으로 미세공정 혁신을 주도하고 있다.

삼성전자는 최근 △세계 최초로 메모리와 시스템반도체를 융합한 HBM-PIM (Processing-in-Memory) △D램 모듈에 연산기능을 탑재한 AXDIMM △SSD에 연산기능을 탑재한 스마트 SSD △D램 용량 한계를 극복할 수 있는 CXL D램 등 새로운 메모리 솔루션을 잇따라 선보이고 있다.


한현주 글로벌이코노믹 기자 kamsa0912@g-enews.com