삼성전자, 1.4나노 EUV 장비 설치로 2나노 이하 공정 경쟁 가속화

삼성전자가 지난 3월 경기도 화성사업장에서 1.4나노미터(㎚) 공정용 High‐NA EUV(극자외선) 장비(EXE:5000)를 세계에서 3번째로 설치했다고 지난 5일(현지시각) Wccf테크가 보도했다. 인텔이 2024년 4월 자사의 오리건 D1X 팹에 세계 최초로 설치했고, 이어 TSMC가 뒤따랐고, 삼성전자는 세 번째로 도입한 것이다.

보도에 따르면, 이 장비의 가격은 대당 약 4억 달러(약 5500억 원)이며 정부는 반도체 산업 경쟁력 강화를 위해 수입 관세 전액 면제를 검토 중이다.

◇ 고해상도 장비로 미세공정 전환 가속

Industry 관계자는 “High-NA EUV를 개발 초기 단계부터 도입해 생산 안정성을 앞당기려는 전략”이라고 설명했다. 이 장비는 기존 EUV보다 해상도가 높은 덕분에 1.4㎚ 이하 공정에 필수적이다. 삼성전자는 이를 바탕으로 2㎚ 이하 공정의 수율을 높이기 위해 올해부터 추가 주문을 진행했다.
◇ 2027년 양산 목표…TSMC보다 1년 앞서

삼성전자는 2027년 1.4㎚ 공정 양산을 목표로 삼았다. 이는 업계 1위인 대만 TSMC가 같은 공정을 2028년에 본격 양산할 것으로 예상되는 것보다 1년 빠른 일정이다. 한 반도체 업계 관계자는 “관세 부담이 해소되면 장비 도입 비용 절감 효과로 개발 일정을 더욱 앞당길 수 있다”고 말했다.

한편, ASML의 High-NA EUV 장비는 공급 물량이 제한적이어서 주요 파운드리 업체 간 경쟁이 치열하다. 업계 관측통은 “삼성이 확보한 물량이 향후 반도체 시장 판도를 좌우할 핵심 변수”라고 평가했다.


박정한 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com