중국 YMTC, HBM 대체할 'HBF' 카드로 삼성전자·SK하이닉스에 도전장

중국 최대 메모리 반도체 기업 양쯔메모리테크놀로지(長江存儲科技·YMTC)가 기존 낸드플래시 시장을 넘어 인공지능(AI) 메모리 시장의 핵심인 HBM(고대역폭 메모리)의 대안으로 ‘HBF(High Bandwidth Flash)’ 카드를 꺼내 들었다고 스페인의 IT-하드웨어 전문 미디어 엘 차푸사스 인포르마티코(El Chapuzas Informático)가 31일(현지시각) 보도했다.

YMTC의 이 같은 행보는 단순한 기술 추격을 넘어 삼성전자와 SK하이닉스가 주도하고 있는 AI 메모리 생태계에 정면 도전장을 내민 것으로 풀이된다.


보도에 따르면 YMTC는 최근 중국 반도체 산업 협회와 공동으로 발표한 기술 문서를 통해 AI 가속기 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 워크로드에 최적화된 새로운 메모리 로드맵을 공개했다. YMTC 측은 "현재의 HBM은 데이터 처리 속도는 빠르지만, 거대 AI 모델이 요구하는 막대한 용량을 충족하기에는 비용과 확장성 면에서 한계가 뚜렷하다"고 주장했다.

이에 대한 해법으로 제시된 HBF(고대역폭 플래시)는 3D 낸드플래시를 TSV(관통전극) 및 하이브리드 본딩 기술로 수직 적층해 GPU와 직접 통합하는 방식이다. 지연 시간(Latency)은 HBM보다 다소 길 수 있지만, 기존 SSD보다는 월등히 빠르며 무엇보다 압도적인 데이터 저장 용량을 저비용으로 구현할 수 있다는 점이 강점이다.

YMTC가 HBF 시장 선점을 자신하는 배경에는 독자적인 ‘엑스태킹(Xtacking)’ 아키텍처가 있다. 메모리 셀과 주변 회로를 서로 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤 결합하는 이 기술은 현재 4.0 버전까지 진화했다고 엘 차푸사스 인포르마티코는 전했다.

특히 YMTC는 인텔과 TSMC 등 글로벌 기업들이 채택하고 있는 차세대 패키징 기술인 ‘하이브리드 본딩’ 분야에서 풍부한 양산 경험을 보유하고 있다고 강조했다. 이를 통해 인터커넥트 밀도를 높이고 열 효율을 개선함으로써, 플래시 메모리를 단순한 저장 장치가 아닌 프로세서와 밀접하게 연동되는 ‘메모리 서브시스템’의 핵심으로 격상시킨다는 전략이다.


이번 HBF 개발은 미국의 대중국 반도체 수출 규제에 대응하기 위한 중국의 ‘기술 자립’ 의지가 반영된 결과이기도 하다. 최첨단 HBM4 및 HBM4E 공정에 대한 접근이 제한되는 상황에서, YMTC는 소재부터 시스템 통합까지 전 분야의 R&D를 확대하며 외부 의존도를 낮추는 데 사활을 걸고 있다.

엔비디아가 이미 SK하이닉스와 협력해 ‘AI-NP 스토리지 넥스트’ 등 유사한 솔루션을 개발 중인 상황에서, YMTC의 HBF는 이에 맞불을 놓는 격이다. 삼성전자와 SK하이닉스가 장악하고 있는 고성능 메모리 시장에 중국발 HBF가 얼마나 강력한 균열을 일으킬지 주목된다.

이태준 글로벌이코노믹 기자 tjlee@g-enews.com