메모리 호황, 내년에 꺾이나…공급 과잉·신기술 위협 가능성

메모리 반도체 호황이 내년에는 정점을 찍을 수 있다는 전망이 나왔다. 주가는 경기가 정점을 찍기 전에 하락하는 경향이 있다는 점을 감안할 때 삼성전자, SK하이닉스와 함께 메모리 시장을 삼분하고 있는 마이크론의 상승세도 내년께 멈출 가능성이 제기된다.

푸투럼의 반도체 인프라 주식 리서치 책임자 롤프 벌크는 23일(현지시각) 배런스와 인터뷰에서 내년이 정점일 수 있다고 예상했다.

장기적으로는 인텔이 일본 소프트뱅크와 손잡고 개발하고 있는 잼(ZAM) 같은 차세대 기술이 이들 3사의 HBM(고대역폭 메모리)에 타격을 줄 수 있다는 전망도 나온다.


현재 메모리 시장 호황을 이끄는 것은 인공지능(AI)이다. AI에 들어가는 HBM이 메모리 반도체 생산을 장악하면서 일반 메모리 부족 사태가 이어지고 있다.
HBM은 크기가 기존 DRAM보다 두 배 정도 크고, 제조 공정도 까다롭다. 웨이퍼당 생산 가능한 칩의 개수가 절반 이하로 줄어든다. 게다가 메모리 여러 층을 아파트처럼 쌓아야 하는 구조로 인해 수율도 낮다. 한 층만 불량이 나도 전체 층을 모두 버려야 한다. 완제품에 필요한 웨이퍼 양이 기하급수적으로 늘어난다. 아울러 HBM은 패키징 공정이 매우 길다.

마이크론에 따르면 이 때문에 HBM은 일반 메모리 생산에 비해 웨이퍼를 3배 더 많이 사용한다.

이는 DRAM, NAND 플래시 공급을 급격히 줄어들게 만드는 요인이다.

AI에 필요한 HBM 생산이 주력이 되면서 일반 메모리 생산이 급격히 줄어들고, 이 때문에 가격이 치솟고 있다.

트렌드포스에 따르면 메모리 시장 규모는 올해 5516억 달러, 내년에는 8427억 달러 수준으로 확대된다.

AI 붐 속에 메모리 시장이 과거와 같은 극심한 경기 변동을 겪지 않을 수 있다는 주장이 나오지만 그 가능성을 완전히 배제할 수는 없다는 우려 역시 만만찮다.

공급 부족으로 설비 투자가 확대되면 공급이 과잉으로 치달으면서 가격이 폭락하는 사이클이 되풀이될 수 있다는 것이다.

급격한 자본 지출 증가와 가격 상승세 둔화가 하락장의 시작을 알리는 신호탄이다.

내년 하반기 메모리 시장이 공급 과잉에 직면할 수 있다는 전망이 나온다.

현재 메모리 3사가 대규모 증설을 진행하는 가운데 내년 하반기에는마이크론의 미국 아이다호 공장, SK하이닉스의 용인 클러스터가 가동된다.


장기적으로는 중국 업체들의 부상이 위협 요인이다. DRAM 업체 CXMT, NAND 업체 YMTC가 생산을 확대하고 있다.

다만 기술 격차가 큰 데다 미국의 수출 규제까지 있어 이들이 단기적으로 서구권 시장에 물량을 풀기는 어렵다.

인텔과 소프트뱅크가 개발하는 ‘ZAM’과 같은 차세대 기술이 HBM을 위협할 수 있다는 분석도 있다.

ZAM 기술은 HBM의 최대 단점인 발열과 전력 소모 문제를 해결하는 기술이다.

HBM은 데이터 통로를 수직으로 뚫는 TSV 방식을 쓰지만 ZAM은 대각선으로 통로를 뚫는다는 점이 가장 큰 차이다.

TSV 방식의 단점은 칩을 높이 쌓을수록 중앙부에 열이 갇히는 ‘열섬’ 현상이 발생해 성능이 떨어지고, 전력 소모도 많다는 것이다.

반면 ZAM은 Z자 구조로 통로를 낸다. 이렇게 하면 중앙 열 기둥을 통해 열이 빠져나갈 수 있어 냉각 효율이 극대화된다.

인텔은 ZAM이 기존 HBM보다 전력 소모는 40~50% 줄이면서 용량은 2~3배 늘릴 수 있다고 주장하고 있다.

시제품은 내년에 나올 예정이고, 2029~2030년 상용화가 목표다.

내년 하반기 시장이 공급 과잉으로 치닫기 전이 메모리 주가가 고점을 찍는 시기일 것이라는 분석이 나온다.


김미혜 글로벌이코노믹 해외통신원 LONGVIEW@g-enews.com


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