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삼성, 美 텍사스에 추가공장·후공정·R&D '올인원'

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삼성, 美 텍사스에 추가공장·후공정·R&D '올인원'

현지 보조금 투자액 대비 14.2%, 인텔·TSMC보다 비율 높아

TSMC가 미국 애리조나 피닉스에 짓기로 한 팹 조감도, 인텔이 오하이오주에 건설하고 있는 팹 조감도, 삼성전자가 미국 텍사스주 테일러시에 짓고 있는 삼성 파운드리 공장(왼쪽 상단부터 시계방향으로). 사진=TSMC, 인텔, 테일러시이미지 확대보기
TSMC가 미국 애리조나 피닉스에 짓기로 한 팹 조감도, 인텔이 오하이오주에 건설하고 있는 팹 조감도, 삼성전자가 미국 텍사스주 테일러시에 짓고 있는 삼성 파운드리 공장(왼쪽 상단부터 시계방향으로). 사진=TSMC, 인텔, 테일러시
삼성전자는 투자액 대비 보조금 지급 비율을 따졌을 때 인텔(8.5%)과 TSMC(10.2%)보다 높은 14.2%에 해당하는 64억 달러(약 9조원)를 미국 정부에서 지급받는다. 테일러시 부지에 후공정을 비롯해 연구개발(R&D)·인력양성까지 망라한 '반도체 올인원' 시설이 들어선다는 점에서 인텔과 TSMC보다 높이 평가받았다는 분석이 나온다.

16일 업계에 따르면 삼성전자는 텍사스주에 총 450억 달러(약 62조원)를 투자해 반도체 관련 시설을 확충한다. 이 수치는 기존 테일러시에 건설 중인 파운드리(반도체 수탁생산)에 투자하기로 한 170억 달러(약 23조원)에서 두 배 이상 늘어난 금액이다. 이에 따라 삼성전자는 텍사스주에 추가 파운드리 공장과 첨단 패키징 공장을 새롭게 건설할 것으로 전망된다. 여기에 인력양성을 위한 시설과 R&D센터도 들어설 것으로 보인다.
삼성전자의 계획은 텍사스주에 사실상 반도체 관련 모든 시설을 망라한 올인원 시설을 건설한다는 것이다. 삼성 클러스터를 조성함으로써 지역 경제를 활성화함은 물론 미국에서 전 영역에 걸친 반도체 관련 확고한 기술력과 경쟁력을 확보할 수 있다.

삼성전자의 계획은 인텔이나 TSMC 건설 계획과 차이를 보인다. 인텔은 1000억 달러(약 139조원)를 투자하지만 애리조나주와 오하이오주에 분할해서 공장을 건설한다. R&D시설도 포함돼 있지만 삼성전자처럼 올인원 시설은 아니다.

TSMC도 마찬가지다. TSMC는 650억 달러(약 90조원)를 투자해 애리조나주에 공장을 3곳이나 건설하지만 팹(반도체 일괄생산 공장) 확장 수준에 그친다. R&D시설도 건설될 것으로 전망되지만 선단 공정인 2nm(나노미터·10억분의 1m)공정을 2028년에나 도입한다는 계획이다. 오는 2026년에 테일러팹에 2nm 공정을 도입하는 삼성전자와는 대비된다.

통상 반도체 기업은 기술 유출 우려 등으로 최첨단 공정을 자국에서만 생산하지만 삼성전자는 미국 시장에 사실상 '통 큰 베팅'을 한 셈이다.

업계 관계자는 “투자금액 대비 보조금 비율은 정해져 있다”면서 “삼성전자가 패키징 공장까지 건설하면서 일괄생산이 가능하게 된 점이 유리하게 작용한 것으로 보인다”고 말했다.


장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com