SK하이닉스, HBM4E 2026년 개발 시사…"1년 주기 단축"

SK하이닉스가 이르면 2026년에 7세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4E 개발을 마칠 가능성이 제기됐다.

13일 관련업계에 따르면 김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장은 이날 서울 광진구 워커힐호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 "HBM이 4세대(HBM3) 제품까지는 2년 단위로 발전해왔지만, 5세대(HBM3E) 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다"고 말했다.
SK하이닉스가 HBM4E 개발 로드맵에 대해 언급한 것은 이번이 처음이다. 아직 SK하이닉스의 HBM4E 로드맵이 공식적으로 발표되지는 않았지만 개발 주기가 1년으로 단축되고 있는 상황을 고려하면 HBM4E의 개발이 2026년에 완료될 것으로 전망된다.

HBM은 D램 여러 개를 수직으로 쌓고 연결하는, AI 반도체용 메모리로 현재 5세대 HBM3E가 개발을 마치고 올해 상반기 엔비디아 등 고객사에 납품 중이다.
하지만 내년 HBM4, 2026년 HBM4E 등순으로 세대 교체가 더욱더 가속화될 수 있음을 강조한 것으로 해석된다. 회사 측은 "개발 로드맵에 따른 계획일 뿐 확정된 바 없다"고 설명했다.

높은 공정 난도를 어떻게 해결할지는 변수다. 반도체 업계에선 HBM4는 내년 12단, 2026년 HBM4 16단 제품이 나올 것으로 예상한다. HBM은 단수가 높을수록 공정 난도는 높고, 수율 관리가 어렵다.

HBM4E는 20단 수준까지 높아질 수도 있다. SK하이닉스는 HBM4에선 주력 공정인 MR-MUF는 물론 하이브리드 본딩도 연구 중이다.


김태우 글로벌이코노믹 기자 ghost427@g-enews.com