삼성전자, GTC서 HBM4E 최초 공개…'베라루빈'에 HBM4 공급 공식화

삼성전자가 16일(현지시각)부터 19일까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아의 연례 개발자 컨퍼런스인 GTC에 참가해 차세대 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)를 최초 공개했다. 삼성전자는 엔비디아의 최신 AI 시스템인 베라루빈 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 유일하게 공급할 수 있는 역량을 앞세워 AI동맹을 고도화한다는 전략이다.

삼성전자는 △AI 팩토리스(AI 데이터 센터) △로컬 AI(온 디바이스 AI) △피지컬 AI 세 개의 전시 공간을 마련해 GDDR7을 비롯해 LPDDR6, PM9E1 등 차세대 삼성 메모리 아키텍처를 공개했다고 17일 밝혔다.

행사 둘째 날인 17일(현지시각)에는 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나선다. 그는 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시할 예정이다. 이를 통해 삼성전자와 엔비디아간 협력이 단순한 기술 협력을 넘어 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 보여줄 계획이다.



삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 히어로 월'을 마련해 삼성의 고대역폭모메모리(HBM) 기술 리더십을 가장 먼저 조명할 수 있도록 전시 동선을 구성했다. 삼성전자는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 파운드리의 4나노(nm, 10억분의 1m) 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다.

HBM4E는 메모리, 자체 파운드리와 로직 설계 역량, 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다. 삼성전자는 영상을 통해 TCB 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 하이브리드 코퍼 본딩(HCB) 기술을 공개하고 차세대 HBM을 위한 삼성전자의 패키징 기술 경쟁력도 강조했다.

이외에도 삼성전자는 베라루빈 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 파운드리 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면에 배치해 삼성전자만의 기술력을 과시했다. 삼성전자는 종합반도체 기업(IDM)만의 토털 솔루션을 통해 고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축한다는 계획이다.



삼성전자는 이번 전시를 통해 전 세계에서 유일하게 엔비디아 베라루빈 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 증명했다. 삼성전자가 별도로 구성한 ‘엔비디아 갤러리’에선 △루빈 그래픽처리장치(GPU)용 HBM4 △베라 중앙처리장치(CPU)용 소캠2(SOCAMM2) △스토리지 PM1763을 베라루빈 플랫폼과 함께 전시한다.

삼성전자의 소캠2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다. 삼성전자 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763을 베라루빈 플랫폼의 메인 스토리지로 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연한다.

삼성전자는 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 베라루빈 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이다. 삼성전자는 AI팩토리 혁신을 위해 베라루빈 플랫폼과 같은 강력한 AI시스템이 필수적으로 이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속적으로 공급해 나갈 방침이다.

양사는 이러한 협력을 바탕으로 글로벌 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 이끌어 나간다는 전략이다.

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장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com