AI 메모리 대란에 DDR5 가격 5배 폭등…삼성·SK하이닉스·마이크론 빅3 독주에 중국 추격

인공지능(AI) 데이터센터 수요 폭발로 메모리 반도체 가격이 10년 만에 최악의 공급 쇼크를 겪으면서 글로벌 반도체 시장에 지각변동이 일고 있다.

사우스차이나모닝포스트(SCMP)는 지난달 31일 중국 선전 화창베이 전자제품 도매시장에서 32GB DDR5 메모리 가격이 990달러(약 143만 원)까지 치솟아 지난해 9월 이후 5배 가까이 급등했다고 보도했다. 이 같은 공급난 속에서 중국 메모리 업체들의 시장 점유율 확대 기회가 열리는 한편, 인텔은 차세대 DRAM 기술로 메모리 시장 재진입을 시도하고 삼성전자는 AI 최적화 초소형 고성능 SSD를 공개하는 등 기술 혁신 경쟁이 가속화하고 있다.


화창베이 전자제품 시장에서 10년 넘게 컴퓨터 부품을 판매해온 한 상인은 "이번이 가장 공격적인 가격 급등"이라며 "가격이 하루 두세 번 바뀌어 고객 견적서 작성을 포기했다"고 말했다. 시장에서는 가격 견적에 만기일을 시간 단위로 표시할 정도로 변동성이 극심한 상황이다.

삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 빅3 메모리 제조사들이 AI 데이터센터용 고대역폭메모리(HBM)와 고급 DRAM 칩 생산에 생산라인을 집중하면서 개인용 컴퓨터(PC)와 스마트폰용 일반 메모리 공급이 급감한 탓이다. 시장조사기관 트렌드포스의 쉬자위안 수석 애널리스트는 DRAM 계약 가격이 지난 분기 40% 급등에 이어 2026년 1분기에 최소 15% 추가 상승할 것이라며, 가격 인상세는 둔화하겠지만 2026년 하반기까지 이어질 것이라고 전망했다.
모건스탠리 애널리스트들은 시장의 가파른 가격 상승세가 2027년까지 지속할 것으로 내다봤다. 뱅크오브아메리카(BOA) 보고서에 따르면 2026년 메모리 반도체 시장은 1990년대 호황과 유사한 슈퍼 사이클로 전년 대비 51% 급증할 것으로 예상되며, HBM 시장은 58% 급등해 546억 달러(약 79조2200억 원)에 이를 전망이다.


공급 부족 사태는 중국 메모리 기업들에게 글로벌 시장 점유율 확대의 기회를 제공하고 있다. 화창베이의 헝신테크놀로지스 리씨 총지배인은 고객의 절반가량이 최소 일부 국산 메모리 칩으로 시스템을 전환했다며, 중국 최대 DRAM 제조사인 창신메모리테크놀로지스(CXMT) 제품이 빅3 대비 200~300위안(약 4만~6만 원) 저렴하다고 설명했다.

2016년 설립된 CXMT는 지난해 전 세계 DRAM 시장에서 4% 점유율을 확보해 4위 업체로 부상했다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 CXMT는 지난해 11월 삼성전자, SK하이닉스와 함께 가장 진보된 DDR5 동기식 DRAM을 공개하며 기술 격차를 빠르게 좁히고 있다. HSBC 보고서는 CXMT의 월간 DRAM 생산능력이 올해 말 33만 웨이퍼에 이를 것으로 전망했다. 지난해 초 20만 웨이퍼에서 65% 증가한 규모다.

중국 NAND 플래시 선두주자인 양쯔메모리테크놀로지스(YMTC)도 지난해 말 207억2000만 위안(약 4조3100억 원) 규모로 세 번째 공장 프로젝트를 시작했다. 중국 언론에 따르면 올해 말 가동되면 YMTC의 총 생산능력은 월 30만 웨이퍼로 늘어나 전 세계 NAND 플래시 시장 점유율을 현재 8%에서 15%로 끌어올릴 전망이다.
선전 소재 컨설팅 업체 중투는 보고서에서 중국 메모리 기업들이 AI가 재편한 메모리 환경에서 독특한 위치를 차지하며 전 세계에서 무시할 수 없는 세력으로 자리 잡고 있다고 분석했다. HSBC는 CXMT와 YMTC가 2025~2026년 합쳐 280억 달러(약 40조6200억 원) 이상을 설비투자할 것으로 추정했다.


디지타임스는 지난달 31일 미국 에너지부 산하 샌디아국립연구소(SNL)가 발표한 연구 보고서를 인용해 인텔이 차세대 DRAM 본딩(NGDB) 기술 개발을 통해 메모리 시장 재진입을 준비하고 있다고 보도했다.

SNL과 인텔이 공동 진행한 첨단메모리기술(AMT) 프로젝트는 제품화 단계에 진입했다. 인텔의 NGDB 기술은 기존 메모리 구조와 달리 혁신 메모리 조직과 적층 조립 방식을 채택해 DRAM 성능을 대폭 향상하면서 전력 소비를 줄이고 비용을 최적화한다.

인텔 정부기술 부문 조슈아 프라이먼 최고기술책임자(CTO)는 "표준 메모리 구조로는 AI 수요를 충족할 수 없어 NGDB가 새로운 길을 제시한다"고 설명했다. NGDB는 HBM과 DDR DRAM 간 성능 격차를 해소해 더 넓은 범위의 응용 프로그램과 시스템이 HBM 이점을 활용할 수 있게 한다. SNL의 그웬 보스퀼렌 수석연구원은 최근 시연을 통해 NGDB 기술이 대량생산에 적합한 고성능 메모리를 생산할 수 있음을 입증했다고 밝혔다.

삼성전자는 지난달 30일 M.2 2242 폼팩터에 4TB 용량을 구현한 PCIe 5.0 SSD 'PM9E1'을 공개했다고 Wccftech가 보도했다. PM9E1은 최대 14.5GB/s 읽기 속도와 12.6GB/s 쓰기 속도를 지원하며, 무작위 읽기 및 쓰기 속도는 각각 200만 IOPS와 264만 IOPS에 이른다.

삼성에 따르면 PM9E1은 8세대 1Tb V-NAND와 DRAM을 양면 인쇄회로기판(PCB)에 통합한 전략 하드웨어 설계로 컴팩트한 폼팩터에서 높은 용량과 일관된 성능을 구현했다. 5나노 삼성 파운드리 기술 기반 자체 제작 프레스토 컨트롤러를 탑재했으며, 펌웨어는 엔비디아 DGX 스파크 운영체제(OS) 소프트웨어와 CUDA에 최적화됐다.

전력 효율은 이전 세대 드라이브 대비 45% 개선됐으며, 최신 보안 프로토콜 및 데이터 모델(SPDM) v1.2를 지원해 장치 인증, 펌웨어 인증, 보안 채널 기능을 갖췄다. 삼성은 PM9E1이 엔비디아 DGX 스파크 데스크톱 AI 슈퍼컴퓨터 인증을 받아 대량생산에 들어갔다고 밝혔다.

한편 메모리 가격 급등으로 스마트폰 제조사들은 출하량 축소에 나섰다. 샤오미는 올해 출하 예상치를 최대 7000만 대로 낮췄고, 아프리카 시장 강자인 트랜시온은 목표를 4500만 대로 줄였다. 드림스마트그룹은 메이즈 22 에어 스마트폰 출시를 취소했다.


박정한 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com