韓 고부가 메모리 집중하는 사이 범용 D램 빈틈 파고든 중국

글로벌 빅테크의 인공지능(AI) 생태계 투자 확대로 반도체 시장이 고대역폭메모리(HBM)와 DDR5 등 고부가 메모리로 재편되는 모습이다.

한국 소재·부품·장비 업체들도 이 기조에 따라 고부가가치 메모리 반도체 생산에 주력하면서 매 분기 실적 신기록을 써 내려가고 있다.

3일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 2분기에만 영업이익 89조4924억 원을 기록했다. 지난해 같은 기간보다 1813.8% 성장한 수치다. 하이닉스도 같은 기간 영업이익 60조5426억 원, 영업이익률은 무려 76.3%를 기록했다.

이같이 높은 수익성의 배경에는 고부가 제품인 HBM 비중 확대가 있다. AI 서버 확산으로 HBM 수요가 급증했고, 삼성전자와 SK하이닉스도 수익성이 높은 HBM으로 생산라인을 전환하면서 높은 수익성을 기록했다.
고사양 적층세라믹콘덴서(MLCC) 시장도 비슷한 양상을 보인다. 고사양 MLCC는 AI 가속기와 서버 등에 반드시 탑재되는데 범용보다는 3배 비싼 데다 고사양일수록 탑재량도 기하급수적으로 늘어난다.

고사양 MLCC 수요 급증으로 수혜를 본 삼성전기의 경우 하반기에도 고사양 MLCC 출하에 집중한다는 계획이다.

문제는 한국 업체들이 고부가가치 제품에 집중하는 사이 범용 D램·MLCC 시장에 공백이 생기고 있다는 점이다. 이 공백을 중국 업체가 빠르게 파고들고 있다.

적층 단수가 성능을 좌우하는 낸드플래시의 경우 SK하이닉스가 321단으로 가장 높은 고성능 제품을 양산하고 있지만, 중국의 양쯔메모리(YMTC)도 270단 양산에 나서며 바짝 추격하고 있다.

창신메모리(CXMT)의 추격은 더욱 무섭다. CXMT는 중국 본토에서 유일하게 D램을 양산하는 IDM 기업으로, 지난해 4분기 세계 점유율 7.67%로 4위에 올랐다.
특히 CXMT의 경우 기업공개(IPO)로 확보한 대규모 자금을 차세대 D램 공정과 HBM 개발에 쏟아부을 것으로 예상돼 중장기적으로 우리나라 메모리 산업을 위협하는 핵심 경쟁자가 될 전망이다.

더욱이 현재 범용 D램은 공급이 수요를 따라가지 못하는 상황인 만큼 CXMT는 공급망 확보에 유리한 상황이다. 수요가 둔화된다고 하더라도 가격 경쟁에서 우위에 있는 CXMT가 유리한 측면이 있다.

중국 내수시장과 대규모 생산 라인을 통해 D램 공급을 빠르게 늘린다면 한국 업체들의 시장을 위협하는 동시에 가격 결정력을 약화시켜 수익성에 타격을 줄 수도 있다는 의미다.

전자산업의 쌀이라고 불리는 범용 MLCC 시장도 심상치 않다. 홍콩 매체에 따르면 중국 삼환그룹은 홍콩 증시 상장을 통해 자금을 조달, 신공장 건설에 나섰으며, 풍화고과 역시 1조6000억 원 규모의 설비투자를 마치고 월 생산능력을 삼성전기의 절반 수준까지 끌어올렸다.

시장조사업체 프로스트앤설리번은 올해 중국 스마트폰과 태블릿용 소비자 MLCC의 약 절반을 중국 업체들이 공급할 것으로 전망했다.

업계 관계자는 "HBM보다는 상대적으로 기술 문턱이 낮은 범용 D램 시장에서 중국 업체들이 틈새를 파고들 환경이 조성됐다"면서 "중국 업체들이 정부 보조금 등을 바탕으로 D램 생산 능력을 빠르게 늘리고 있다"고 설명했다.


박상휘 글로벌이코노믹 기자 shpark03@g-enews.com