마이크론, 범용 D램 마진 95% 전망…HBM 수익성 앞선다

미국 메모리 반도체 기업 마이크론의 범용 D램 총마진이 제조 원가 부담이 큰 고대역폭메모리(HBM)를 제치고 오는 2027년 95%까지 치솟을 전망이다.

Wccftech는 8월 14일(현지시각) 스위스 투자은행 UBS 보고서를 인용해 범용 D램 공급 부족이 발생하며 마진이 급등하는 가운데 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM4 경쟁 셈법도 복잡해졌다고 보도했다.


UBS 보고서의 추정 모델에 따르면 마이크론의 범용 D램 총마진은 가파른 상승세를 나타내고 있다. 2025년 마이크론의 범용 D램 총마진은 44%에서 50% 수준을 기록했다. 이 수치는 2026년 초 80%로 뛰었다. 인공지능(AI) 데이터센터 수요가 꾸준히 이어지는 가운데 범용 D램 총마진은 2027년에 95%로 최고점에 이를 것으로 관측된다. 2028년에도 93% 안팎의 높은 수준을 유지할 것으로 보인다.
반면 2027년 HBM 총마진은 75~78% 수준에 머물 것으로 추산된다. 고부가 첨단 부품으로 꼽히는 HBM의 수익성이 일반 제품보다 오히려 20%포인트가량 낮아지는 셈이다. HBM은 여러 개의 D램 다이(Die)를 수직으로 쌓아 올리는 복잡한 제조 과정을 거친다. 이 과정에서 수율 저하와 원가 상승이 발생한다.

동일한 웨이퍼 투입량 기준으로 HBM을 생산하려면 범용 D램보다 훨씬 많은 양의 웨이퍼가 소모된다. HBM 생산 비중을 늘릴수록 시장에 공급할 수 있는 범용 D램 완제품 생산능력은 줄어든다. 결국 HBM 생산 확대가 범용 D램 품귀를 부르고, 이 품귀 현상이 범용 D램 가격과 마진을 비정상적으로 밀어 올리는 역설이 나타난다.


수익성 격차에도 불구하고 메모리 제조사들은 HBM 설비 확장을 멈추지 않고 있다. 시장의 장기 주도권을 쥐기 위한 판단이다. UBS는 마이크론의 HBM 분기 출하량이 2025년 초 0.1엑사바이트(EB) 수준에서 2027년 말 0.43엑사바이트까지 꾸준히 증가할 것으로 내다봤다. 마이크론은 범용 D램 사업에서 단기 손실을 감수하더라도 시장 확대를 지속할 방침이다.

한국의 삼성전자와 SK하이닉스도 차세대 HBM4 양산 경쟁에 회사 역량을 집중하고 있다. 업계에서는 주요 제조사들의 차세대 HBM 수율이 이미 80% 수준에 도달한 것으로 파악한다. 한국 제조사들은 범용 D램 가격 강세의 반사이익을 얻는 동시에 차세대 규격 시장의 지배력을 유지해야 하는 과제를 안았다.

메모리 제조사들은 대규모 설비 투자를 진행하며 고객사들로부터 총 380억 달러(약 53조 9030억 원)에 달하는 선수금을 확보했다. 이 막대한 선수금은 시장 변동성을 막아주는 재무 방어막 구실을 한다. 안정된 현금 흐름 덕분에 제조사들은 HBM 생산 라인 증설을 이어갈 수 있다.

제조사 중심의 우월한 시장 협상력은 영구적이지 않다. 업계에서는 공급 부족이 점차 해소되고 시장 가격이 안정되면서 제조사의 협상력은 2029년부터 약화될 가능성이 제기된다. 2029년 이후에는 시장 주도권이 다시 빅테크를 비롯한 고객사 쪽으로 넘어갈 공산이 크다.

한국 반도체 기업을 포함한 메모리 제조사들은 협상 우위가 유지되는 2029년 이전에 HBM 공정 효율과 수율을 완전히 안정시켜야 한다. 범용 D램의 높은 수익 기회를 일부 포기하면서 HBM에 투자하는 만큼 원가 절감과 대량 양산 체제를 얼마나 빨리 완성하는지가 장기 생존의 분수령이 될 전망이다.


김주원 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com