CXMT, 17나노 DDR5 수율 90% 확보…에이서·ASUS 완제품 탑재 확인
미국 EUV 제재 속 구형 공정 한계 명확하지만 범용 물량 공세 본격화
삼성전자·SK하이닉스, 범용 D램 가격 방어선 재계산 및 선단 전환 가속
미국 EUV 제재 속 구형 공정 한계 명확하지만 범용 물량 공세 본격화
삼성전자·SK하이닉스, 범용 D램 가격 방어선 재계산 및 선단 전환 가속
이미지 확대보기CXMT가 17나노 DDR5 D램 수율 90%를 확보해 범용 메모리 공급 확대에 나선다.
에이서와 에이수스는 가격 경쟁력을 높이기 위해 중국 및 신흥시장용 PC에 CXMT 칩을 탑재한다. EUV 장비 부재에 따른 공정 한계와 한국 메모리 기업의 레거시 감산 전략 수정 여부가 쟁점으로 떠오른다.
중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 17나노미터급 공정 기반 DDR5 D램 생산에서 수율 90%를 달성하며 범용 메모리 시장 추격에 속도를 낸다. Wccftch는 2026년 8월 11일(현지시각) 중국 마이드라이버스를 인용해 이 같이 보도했고, 한국 반도체 업계는 범용 D램 가격 방어선 재설정이라는 과제를 안게 됐다.
소비재 시장 내 적용 확대
미국 PC 제조사들은 중국산 메모리 채택에 서로 다른 대응을 보인다. 델은 CXMT 제품 사용을 전면 금지했다. HP는 중국 본토에서 판매하는 기기에만 제한적으로 쓴다. 애플도 글로벌 메모리 수급난에 대응하기 위해 중국용 기기에 CXMT 칩을 사용하는 방안을 추진해 왔다.
EUV 규제와 미세공정 한계
CXMT가 거둔 90% 수율은 시장 예상보다 빠른 성과다. 미국 정부의 수출 규제로 첨단 극자외선(EUV) 노광장비 도입이 막힌 상황은 구조적 걸림돌이다. 경쟁사 마이크론은 EUV 장비를 활용해 10나노급 5세대(1-감마) 공정에서 DDR5를 생산하며 기술 격차를 유지한다.
EUV 장비 없이 구형 공정만으로 회로를 구현하는 CXMT는 생산능력을 대폭 늘리는 과정에서 장비 수급 한계에 직면한다. 선두 기업과의 미세 공정 세대 격차를 좁히는 일도 과제로 남는다.
한국 반도체 업계 대응 과제
한국 기업은 범용 생산 라인을 선단 공정으로 신속하게 전환해야 하는 상황이다. 업계는 CXMT의 실제 대량 출하 능력을 확인하기 위해 분기별 출하량 지표를 면밀 점검할 때다.
김주원 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com

































