머스크 테라팹, D램 공정인력 채용…메모리 생산 준비

일론 머스크가 추진하는 초대형 반도체 생산기지 ‘테라팹’이 D램을 비롯한 메모리반도체 생산을 위한 전문인력 확보에 나섰다.

테라팹이 로직 반도체뿐 아니라 메모리까지 자체 생산하겠다는 구상을 실제 인력 채용 단계로 구체화하면서 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론이 주도하는 글로벌 메모리 시장에 장기적으로 새로운 경쟁자가 등장할 가능성이 제기됐다.

IT 전문매체 Wccftech는 테슬라가 테라팹에서 근무할 ‘메모리 공정 통합 엔지니어(Memory Process Integration Engineer)’ 채용공고를 냈다고 7일(현지시각) 보도했다.

테슬라 공식 채용 페이지에 따르면 근무지는 미국 텍사스주 오스틴이며 정규직이다. 채용공고에 명시된 업무 범위는 D램 생산 전반에 걸쳐 있다.
이번에 채용되는 엔지니어는 커패시터 설계부터 전체 공정 실행, 대량생산 준비까지 D램 셀 구조의 전 공정 통합을 담당한다. 20나노미터 미만 하프피치의 첨단 D램 공정을 설계하고, 용량 밀도와 누설전류, 리프레시 특성을 최적화하는 메모리 셀 통합 공정도 개발한다.

식각, 증착, 이온주입, 화학적기계연마(CMP) 등 각 공정팀과 협력해 소자분리(STI), 워드라인 형성, 저장 노드 접촉부, 커패시터 유전체 등 메모리 핵심 공정의 조건을 정하는 업무도 포함됐다.

테라팹의 메모리 사업 범위가 기존 D램에만 머물지 않을 가능성도 드러났다.

채용공고에는 테라팹의 메모리 개발 로드맵이 확대됨에 따라 자기저항메모리(MRAM), 저항변화메모리(RRAM), 3D D램 등 차세대 메모리 기술의 공정 통합 개발을 담당한다는 내용도 포함됐다.

Wccftech는 이 같은 채용은 “테라팹이 메모리 공급 부족 문제를 직접 해결하려는 움직임을 본격화하고 있음을 시사한다”며 “삼성전자, SK하이닉스, 마이크론이 장악한 메모리 시장에도 장기적으로 영향을 줄 수 있다”고 분석했다.
테라팹은 테슬라와 스페이스X가 공동 추진하는 대규모 반도체 생산 프로젝트다. 최종적으로 연간 1000기가와트(GW), 즉 1테라와트(TW) 규모의 인공지능(AI) 컴퓨팅 능력을 생산하는 것을 목표로 하고 있다.

현재 텍사스주 그라임스 카운티에 조성되는 반도체 단지에는 초기 168억달러(약 23조9000억원)가 투입될 예정이다.

테라팹은 반도체 생산 과정에서 분산돼 있는 마스크 제작, 노광, 첨단 칩렛 패키징, 테스트 등을 한곳에 통합하는 것을 목표로 한다. 이를 통해 현재 6~9개월이 걸리는 칩 설계와 생산의 반복 주기를 수주 수준으로 단축한다는 구상이다.

머스크는 앞서 테라팹을 로직·메모리 반도체와 첨단 패키징을 모두 아우르는 수직통합 생산기지로 만들겠다는 구상을 공개했다.

이번 D램 전문 공정인력 채용은 테라팹의 메모리 생산 구상이 실제 제조 기술 확보 단계로 옮겨가고 있음을 보여주는 첫 구체적인 움직임 가운데 하나로 평가된다.


김현철 글로벌이코노믹 기자 rock@g-enews.com