"삼성·SK하이닉스 추격"… 日 키옥시아, 1조 엔 들여 日 북부에 신규 팹 짓는다

글로벌 낸드플래시(NAND Flash) 메모리 3위 기업인 일본 키옥시아 홀딩스(Kioxia Holdings·구 도시바메모리)가 세계 1·2위인 한국의 삼성전자와 SK하이닉스의 대규모 반도체 투자에 맞서 일본 북부 생산 거점에 1조 엔(약 8조 6,800억 원)을 웃도는 신규 팹(Fab) 증설 투자를 단행한다.

인공지능(AI) 데이터센터 확산으로 고용량 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 수요가 급증하는 가운데, 미국 합작 파트너인 샌디스크(Sandisk)와 일본 정부의 전폭적인 보조금을 등에 업고 글로벌 낸드 시장 주도권 탈환을 위한 정면 승부에 나섰다는 평가다.
8월 27일(현지시각) 일본 종합 경제 미디어 닛케이 아시아(Nikkei Asia) 보도에 따르면, 키옥시아 최고경영진은 도쿄 총리 관저를 공식 방문해 일본 북부 이와테현(Iwate) 기타카미 공장에 대규모 신규 낸드플래시 생산 시설을 건설하는 투자 계획안을 보고했다.

키옥시아의 오타 히로오(Hiroo Ota) 사장은 지난 6월 투자자 브리핑에서 "2029년 이후 본격 가동을 목표로 신규 메모리 생산 팹 신설에 대한 구체적인 논의를 시작했다"고 밝힌 바 있으며, 이번 총리실 방문을 통해 총 1조 엔 규모의 세부 실행 계획이 가시화됐다.


현재 키옥시아는 일본 미에현 욧카이치(Yokkaichi) 공장과 이와테현 기타카미(Kitakami) 공장 등 2개 핵심 거점에서 낸드플래시를 집중 생산하고 있다.

이번에 확정된 신규 생산 라인은 이와테현 기타카미 공장 부지 내에 들어서는 3번째 팹(K3)으로 조성된다. 키옥시아는 이미 국내외 주요 반도체 장비 및 소재 협력업체들을 대상으로 신규 팹 건설 및 클린룸 장비 도입을 위한 견적 제안(RFP) 절차에 착수했다.

이번 대규모 프로젝트는 키옥시아의 오랜 제조 합작 파트너인 미국 샌디스크(웨스턴디지털 메모리 사업부)와의 공동 투자 형태로 진행되며, 일본 경제산업성(METI)의 첨단 반도체 국내 생산 지원 보조금이 대규모로 매칭 지원될 예정이다.

시장조사업체 집계 기준 키옥시아는 글로벌 낸드플래시 시장에서 한국의 삼성전자, SK하이닉스(솔리다임 포함)에 이어 3위의 시장 점유율을 기록하고 있다.

최근 삼성전자가 평택 캠퍼스를 중심으로 차세대 V낸드 전환에 속도를 내고, SK하이닉스가 청주 M15X 팹 등 국내 생산 거점에 조 단위 공격 투자를 연이어 발표하자, 키옥시아 역시 장기 생산력(CAPA) 확충 없이는 기술 및 점유율 경쟁에서 도태될 수 있다는 위기감이 작용한 것으로 풀이된다.

아울러 이번 투자는 반도체를 경제 안보의 핵심 전략 물자로 지정하고 자국 내 공급망 부활에 총력을 기울이고 있는 도쿄 당국의 정책 기조와 완벽히 맞물려 있다.

일본 정부는 TSMC 구마모토 팹과 라피더스(Rapidus) 2나노 프로젝트에 이어, 첨단 메모리 분야에서도 키옥시아-샌디스크 연합에 막대한 재정 인센티브를 부여하며 자국 내 독자 생산 거점을 강화하고 있다.

키옥시아의 1조 엔 규모 이와테 신규 낸드 팹 착공은, 향후 ‘AI 서버용 초대용량 QLC eSSD 시장을 둘러싼 한·일 메모리 반도체 기업 간의 적층·원가 초격차 경쟁’과 더불어 ‘미·일 반도체 제조 동맹이 글로벌 메모리 공급망 재편에 미칠 구조적 파급력’을 가늠할 핵심 테크 지표로 작용할 전망이다.


신경원 글로벌이코노믹 기자 shincm@g-enews.com