삼성전자, 30일 세계 최초 3나노 반도체 공정 양산 개시

삼성전자가 세계 최초로 3나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1ｍ) 반도체 공정 양산에 나선다.

28일 업계에 따르면 삼성전자는 30일 3나노 공정이 적용된 최첨단 반도체 웨이퍼의 대량 생산을 개시한다. 당초 올해 연말로 제시했던 양산 일정을 최근 열린 투자설명회 등을 통해 상반기 내 시작하겠다고 변경한 뒤 그 약속을 지킨 것이다.

이로써 삼성전자는 5나노 이하 초미세공정 상용화 시대의 문을 가장 먼저 열며 반도체 산업에 또 하나의 업적을 이뤄냈다. 특히, 삼성전자는 차세대 공정기술인 ‘게이트 올 어라운드(GAA, Gate-All-Around)’로 이를 이뤄냈다는 점에서 더욱 의미가 크다. 첨단산업의 성장을 뒷받침하기 위한 고효율·저전력·초소형 초미세공정 칩 기술 분야에서 신기원을 이룬 것이다.

특히, TSMC의 기세를 꺾었다는 점에 주목해야 한다. 업계에 따르면 현재 10나노 미만 초미세 공정을 도입한 회사는 삼성전자와 TSMC 뿐이다. 다른 업체들은 막대한 투자비 부담으로 인해 대부분 기술 개발을 포기한 상태다. 이에 초미세 공정 시장은 두 회사가 수년째 양분하고 있다. 그동안 초미세 공정에서 TSMC에 뒤쳐졌다는 평가를 받았던 삼성전자는 3나노 양산에서 사실상 처음으로 앞섰다.
반도체 전문 시장조사업체 IC인사이츠에 따르면 2020년 말 기준으로 10나노 미만 반도체 공정의 전 세계 생산능력 점유율은 대만(TSMC)이 62.8%, 한국(삼성전자)이 37.2%를 기록했다. 10나노 미만 공정 제품이 전체 시장에서 차지하는 비중은 약 20%로 추정된다. 이런 가운데 삼성전자가 먼저 3나노 공정을 도입하면서 본격적인 추격에 나선 것으로 업계에서는 평가하고 있다.

시장 선도자라는 강한 메시지를 던짐으로써 미국 애플과 구글 등 글로벌 기업 고객 유치전에서도 유리한 고지를 점하게 됐다. 메모리 반도체의 경우 가장 먼저 최신 제품을 개발한 기업은 높은 가격으로 판매해 시장을 독차지하고, 6개월 정도 뒤에 경쟁기업이 같은 성능의 제품을 내놓았을 때에는 파격적으로 가격을 내림으로써 시장 지위를 유지한다. 파운드리 사업에서 가장 먼저 초미세공정을 상용화한 기업이 갖는 이점도 이와 비슷한 것으로 알려진다.

이번 3나노 양산은 파운드리에서 만년 2위에 머무르고 있는 삼성전자가 빠른 시간 내에 이 부문에서 1위 기업으로 도약하는데 기여할 것이 분명하다. 구체적 시기는 이미 목표로 잡은 2030년이다. 시장의 판을 ‘기술’로 바꾼 삼성전자의 저력이 지금부터 본격화할 것이라는 긍정적인 전망이 나오고 있다.

한편, 삼성전자는 최근 발표한 540조원 규모의 중장기 투자게획에서 대한민국이 ‘반도체 초강대국’의 지위 달성을 주도해 나가겠다고 밝힌 바 있다. 메모리 초격차를 확대하고. 펩리스(반도체 설계‧디자인) 시스템반도체‧파운드리에서 경쟁국가 기업을 역전해 반도체 3대 분야를 모두 주도하는 초유의 기업으로 도약하겠다는 것이다.

이와 관련, 파운드리는 기존에 없던 차별화된 생산 기술을 적용해 3나노 이하 제품을 조기 양산하고, 차세대 패키지 기술 확보로 연산칩과 메모리가 함께 탑재된 융복합 솔루션을 개발해 업계 선두권 도약의 발판을 마련하기로 했다. 그 첫 번째 목표를 이번에 실현시켰다.

채명석 글로벌이코노믹 기자 oricms@g-enews.com