SK하이닉스, 고성능 HBM3E 메모리로 AI 시장 공략

SK하이닉스가 HBM3의 업그레이드 버전인 HBM3E 메모리를 개발하고 양산에 들어갈 예정이다. HBM3E 메모리는 데이터 전송 속도가 더 빠르고, 전력 소비량이 적으며, 인공지능(AI), 머신 러닝, 고성능 컴퓨팅 등 다양한 분야에서 사용될 수 있는 고성능 메모리다.

SK하이닉스는 세계 최초로 HBM3를 개발하고(2021년), 양산에 성공한(2022년) 바 있다. HBM3는 D램 여러 개를 수직으로 연결해 기존 D램보다 정보 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품으로, 초당 최대 819GB의 데이터 처리가 가능하다.
HBM3E 메모리는 HBM3 메모리보다 데이터 전송 속도가 약 25% 더 빠르다고 한다. 이는 스택당 처리량이 819.2GB/s에서 1TB/s로 증가한다는 것을 의미한다. 또한 HBM3E 메모리는 12개의 D램 단품 칩을 수직으로 쌓아 최대 24GB의 용량을 확보했다. 이는 어드밴스드 MR-MUF와 TSV 기술을 적용해 높은 공정 효율성과 제품 성능 안정성을 강화했기 때문이다.

HBM3E 메모리는 환경 친화적인 제품으로 지속 가능한 메모리 생태계 유지에도 기여한다. 기존 GDDR 제품보다 에너지 효율이 높아 온실가스 배출 저감에 도움이 된다.

SK하이닉스는 HBM3E 메모리를 인공지능 시장에 공급할 계획이다. 인공지능 시장은 생성형 AI 모델의 급속한 발전과 함께 컴퓨팅 성능과 메모리 수요가 크게 증가하고 있다. SK하이닉스는 엔비디아와 협력해 HBM3E 메모리를 H100 Hopper GPU 및 DGX H100 시스템에 채택할 예정이다. 이는 SK하이닉스가 고객의 성공을 위해 문제 해결에 대한 책임감을 갖고 협업해왔음을 보여주는 사례다.

SK하이닉스는 HBM3E 메모리의 국제 규격화에도 기여했다. JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council, 국제반도체표준협의기구) 및 다른 파트너들과 협의를 통해 SK하이닉스가 개발한 HBM3E의 스펙을 업계와 공유했다.

SK하이닉스는 HBM3E 메모리의 샘플을 올해 하반기에 고객에게 인도할 예정이며, 양산 및 공식 시장 출시는 내년에 계획되어 있다. AI 개발에 사용되는 시스템의 컴퓨팅 성능에 대한 수요 증가로 새로운 수요에는 문제가 없을 것으로 본다.

SK하이닉스는 HBM3E 메모리로 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 해나가겠다고 밝혔다.

박정한 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com