SK하이닉스, 메모리업계 최초 'High NA EUV' 노광장비 도입

SK하이닉스가 3일 메모리 업계 최초로 양산용 'High(하이) NA EUV' 장비를 이천 M16팹(Fab)에 반입했다.

SK하이닉스가 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 High NA EUV 최초의 양산용 모델인 '트윈스캔 EXE:5200B'다. 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능해 선폭 축소와 집적도 향상의 핵심 장비로 평가된다. 이 장비를 사용하면 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.

SK하이닉스는 "치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"며 "파트너사와의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 반도체 공급망의 신뢰성과 안정성을 한층 더 강화해 나가겠다"고 설명했다.

통상 반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가 필수적이다. 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 함께 개선되기 때문이다.
SK하이닉스는 2021년 10나노(nm, 10억분의 1m)급 4세대(1anm) D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔다. 지속적인 장비 도입으로 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 방침이다.

차선용 SK하이닉스 최고기술책임자(CTO)는 “이번 장비 도입으로 회사가 추진중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다”며 “급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도할 것”이라고 말했다.


장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com