DB하이텍, 차세대 전력 반도체 공정 개발…10월 공급 시작

DB하이텍이 차세대 전력반도체인 '650V 전계모드 갈륨나이트라이드 고전자이동도 트랜지스터((E-Mode GaN HEMT)' 공정 개발을 마무리 짓고 시험생산용 웨이퍼를 10월 말 제공한다.

11일 업계에 따르면 DB하이텍이 개발한 650V E-Mode GaN HEMT는 고속 스위칭과 안정성이 높은 것이 특징이다. GaN 소재의 반도체는 기존 실리콘(Si) 기반의 반도체에 비해 고전압, 고주파, 고온에 강하다. 전력 효율이 높아 실리콘카바이드(SiC) 등과 함께 최근 차세대 전력반도체로 각광받고 있다.

DB하이텍은 2022년부터 GaN, SiC 등 화합물반도체를 차세대 사업으로 정하고 공정 개발을 진행해 왔다.

DB하이텍은 이번 공정 개발을 시작으로 집적회로(IC) 형태로 설계할 수 있는 200V GaN 공정과 650V GaN 공정을 2026년 말까지 순차 개발할 예정이다. 이후에는 시장 상황과 고객의 수요 등을 고려하여 더 넓은 전압대까지 공정을 확장하며 사업 기반을 견고히 할 계획이다.
현재 DB하이텍은 충북 음성에 있는 상우캠퍼스에 클린룸 확장을 추진중으로 GaN을 비롯해 BCDMOS, SiC 등이 생산될 예정이다. 신규 클린룸은 8인치 웨이퍼 월 3만5000장 가량을 증설할 수 있는 규모로 증설이 완료되면 DB하이텍의 생산능력은 현재 15만4000장 대비 23% 증가한 19만 장이 된다.

DB하이텍 관계자는 "세계 최초로 0.18um 복합전압소자(BCDMOS)를 개발하는 등 Si 기반 전력반도체에서 이미 글로벌 기술경쟁력을 인정받고 있다"면서 "GaN 공정의 추가로 전력반도체 파운드리 기업으로서 회사의 경쟁력이 더욱 강화될 것으로 기대된다"고 밝혔다.


장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com