中 본토 칩 제조 능력, 2030년까지 대만 추월 전망

중국 본토가 2030년까지 반도체 파운드리 용량에서 대만을 능가할 것으로 예상된다는 전망이 나왔다. 이는 미국의 기술 규제가 지속되는 가운데 중국이 칩 자급자족을 추진하는 데 진전을 보이고 있음을 보여준다고 3일(현지시각) 사우스차이나모닝포스트(SCMP)가 보도했다.

프랑스 시장조사업체 욜 그룹(Yole Group)은 7월 2일 발표한 보고서에서 전 세계 파운드리 용량에서 중국 본토의 점유율이 2024년 21%에서 2030년 말까지 30%에 이를 것으로 예상된다고 밝혔다.

대만은 지난해 23%의 점유율로 현재 시장을 선도하고 있으며, 중국 본토는 이미 한국(19%), 일본(13%), 미국(10%)을 앞서고 있는 상황이다.

욜 그룹은 "중국 본토가 빠르게 중심 플레이어가 되고 있다"며 미국이 칩과 인공지능(AI) 같은 핵심 분야에서 중국의 발전을 억제하기 위해 기술 전쟁을 시작한 이후 자급자족하는 국내 반도체 생태계를 구축하기 위한 중국의 집중적 노력이 변화의 원인이라고 분석했다.
중국은 자급자족 드라이브에 대한 "전체 국가" 접근 방식을 강화하고 있다. "빅펀드"로 알려진 국영 중국 집적회로 산업 투자 펀드는 중국 최고의 웨이퍼 파운드리 중 두 곳인 SMIC(중국국제반도체제조)와 화홍반도체 같은 핵심 기업의 개발을 성공적으로 육성했다.

보고서에 따르면, 국내 팹은 향후 몇 년간 더 큰 역할을 할 것으로 예상되며, 현지 칩 제조업체가 2024년 파운드리 용량의 15%를 차지했다. 이 비율은 2030년까지 "훨씬 더 많이" 될 것이라고 보고서는 전망했다.

중국 칩 제조업체들은 자동차 및 생성형 AI 같은 부문에서 급증하는 수요를 충족하기 위해 시설 확장에 막대한 투자를 하고 있다. 미국 본사 산업협회 SEMI가 1월 발표한 보고서에 따르면 중국은 올해 전 세계 팹 건설의 6분의 1에 해당하는 3개의 새로운 팹 건설 프로젝트를 시작할 것으로 예상된다.

SEMI는 중국의 자급자족 전략과 자동차 및 사물인터넷 애플리케이션의 예상 수요가 8나노미터에서 45나노미터 사이의 공정 노드로 만든 칩의 용량을 6% 늘리는 데 도움이 될 것이라고 덧붙였다.

예상되는 증가에도 불구하고 중국 본토는 여전히 첨단 공정 노드에서 대만과 한국을 뒤쫓고 있다. 이는 트랜지스터 밀도가 더 높은 고성능 칩을 생산하는 데 매우 중요한 영역이다.

중국 최고의 파운드리인 SMIC는 공정 노드를 7nm에서 5nm로 발전시키는 데 어려움을 겪고 있다고 캐나다 리서치업체 테크인사이트가 지난 6월 보고서에서 밝혔다.

7nm 칩이 화웨이 테크놀로지스 스마트폰에 처음 등장한 지 2년이 지났지만 "SMIC의 5nm 공정 노드는 여전히 파악하기 어렵다"고 테크인사이트는 지적했다. 이 보고서는 SMIC의 7nm 칩을 사용한 폴더블 디스플레이가 있는 화웨이의 새 노트북에 사용된 칩을 조사한 후 나온 것이다.

한편, 글로벌 리더인 TSMC(대만적체전로제조공사)와 삼성전자는 2nm 노드 수준에서 대량 생산을 달성하기 위한 경쟁에 치열하게 맞서고 있다. TSMC는 올해 그 수준에 도달할 것으로 예상되며, 삼성은 2026년 초에 같은 수준에 도달할 계획인 것으로 알려졌다.

중국의 파운드리 용량 확대는 미국의 기술 제재에도 불구하고 국가적 차원의 집중 투자와 지원을 통해 반도체 자급자족 목표를 꾸준히 추진하고 있음을 보여준다. 하지만 최첨단 기술 분야에서는 여전히 기술적 격차가 존재하는 상황이다.


신민철 글로벌이코노믹 기자 shincm@g-enews.com