[실리콘 디코드] SK하이닉스, 1c D램 '9배 폭증' 승부수…범용 메모리로 70조 수익 정조준

SK하이닉스가 AI 시대의 수요 폭발에 대응하기 위해 최첨단 범용 D램인 10나노급 6세대(1c) D램 생산 능력을 공격적으로 확대한다. 현재 월 약 2만 장 수준인 1c D램 웨이퍼 생산량을 2026년 말까지 월 19만 장 수준으로, 9배 가까이 늘리는 것을 목표로 하고 있다.

12일(현지시각) 링크드인과 업계에 따르면, SK하이닉스는 고대역폭 메모리(HBM) 생산에 우선순위를 두면서 2025년 4분기부터 일반 범용 D램의 공급을 대폭 줄이겠다고 주요 고객사에 통보한 바 있다. 그러나 범용 D램 가격이 지속적으로 급등하자, SK하이닉스는 시장 상황에 대응하기 위해 전략을 조정하고 있다.

1c 공정 D램은 주로 DDR5, LPDDR5X, GDDR7 등 고성능 제품에 사용된다. SK하이닉스는 2026년 상반기부터 1c 공정 기반의 LPDDR5X와 GDDR7 제품의 양산 및 출하를 대폭 늘릴 계획이다.

재무 전망에 따르면, SK하이닉스의 2026년 영업이익은 약 70조 원(약 490억 달러)을 넘어설 것으로 예상된다. HBM 사업의 이익 기여 비중은 여전히 높겠지만, 범용 D램이 전체 수익에서 차지하는 비중이 훨씬 더 커질 것으로 전망된다. 특히 2026년 상반기까지 HBM과 범용 D램의 영업이익률이 70%에 육박할 것으로 예측되고 있다.

SK하이닉스는 전통적인 D램의 신규 시설이 2027년이나 2028년이 되어서야 생산을 시작할 것으로 예상하고 있어, D램 공급 부족 현상이 2027년 말까지 지속될 것으로 전망한다. 이번 1c D램 생산량 확대는 이천의 M14, M16 공장과 청주의 M15X 공장 등을 통해 이루어질 예정이다.

이는 AI 트렌드가 모델 훈련(Training)에서 대규모 추론(Inferencing)으로 이동하면서 AI 서버, 일반 서버 수요가 범용 D램까지 견인하는 구조적 변화에 따른 것이다.


한편, 경쟁사인 삼성전자 역시 D램 생산 초점을 조정하며 수익 극대화 전략을 펼치고 있다. 삼성은 고수익이 기대되는 DDR5 RDIMM 모듈 생산에 집중하기 위해 D램 생산 라인을 전환 중이며, 이 과정에서 약 8만 장 규모의 D램 웨이퍼 생산 능력을 확보할 것으로 예상된다.

삼성은 또한 기존 1a 공정 생산 능력의 30~40%를 1b 또는 1c 같은 더 진보된 공정으로 업그레이드할 계획이며, 1c를 미래 전략적 초점으로 삼고 있다. 이 추가 생산 능력은 DDR5, LPDDR5X, LPDDR6, GDDR7 생산을 지원할 예정이다.
중국의 창신메모리(CXMT) 역시 DDR4 생산을 줄이고 DDR5 및 LPDDR5 시장에 집중하는 등, 업계 전반이 차세대 메모리 기술로의 전환을 가속화하고 있다.


SK하이닉스가 1c D램 생산을 9배까지 늘리는 것은, AI 시대의 메모리 전쟁이 HBM뿐 아니라 범용 D램까지 확대되었음을 보여주는 결정적인 신호입니다. HBM 생산 집중으로 인해 생긴 범용 D램의 공급 공백과 DDR5/GDDR7의 폭발적인 가격 상승을 SK하이닉스가 놓치지 않고 공략하겠다는 의도입니다. HBM과 DDR5/GDDR7 모두 70%에 육박하는 영업이익률을 기록할 것이라는 전망은, 메모리 시장이 2027년까지 이어질 구조적인 슈퍼사이클에 진입했음을 재확인시켜 줍니다. 삼성전자 역시 1c D램 전환을 가속화하면서, 두 한국 기업의 수익 극대화 경쟁이 더욱 치열해질 전망입니다.


박정한 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com