커세어에 중국산 DDR5 포착… 삼성·SK ‘레거시 리스크’ 확대

미국 PC 부품 제조사 커세어(Corsair)의 차세대 고성능 메모리 모듈에 중국 창신메모리(CXMT)의 DDR5 칩이 탑재된 정황이 포착됐다.

기술 전문 매체 테크스팟(TechSpot)은 지난 22일(현지시각) 하드웨어 팁스터(@wxnod)의 엑스(X) 자료를 인용해 커세어의 차세대 제품 유통망에 중국산 DRAM이 진입한 신호가 확인됐다고 보도했다. 그동안 마이크론 칩을 주로 사용하던 서방 유통망에 중국산 고성능 메모리가 침투하면서, 삼성전자와 SK하이닉스의 범용 제품 단가 회복세에 제동이 걸릴 수 있다는 분석이 나온다.


테크스팟이 공개한 16기가바이트(GB) '커세어 벤전스 DDR5-6000' 모듈의 세부 명세를 보면 동작 전압 1.35볼트(V)에서 인텔 XMP와 AMD EXPO 오버클록 규격을 동시 충족한다. 이번 사례는 ODM(제조자개발생산) 단계에서의 일시적 칩 변경이나 유통망 혼입에 따른 샘플 제품일 가능성도 상존한다. 다만 그동안 자국 내 저가 PC나 서버 물량에 집중하던 중국산 메모리가 서방의 고성능 규격 완제품에 탑재될 만큼 기술적 성장을 이뤄냈음을 시사한다.
글로벌 DRAM 시장 점유율 7.7%를 확보한 CXMT는 최근 폭발적인 외형 성장을 바탕으로 연내 상하이 증시 기업공개(IPO)를 준비 중이다. 비상장사인 CXMT의 구체적인 재무 구조는 베일에 가려져 있으나, 외신과 투자은행(IB) 업계에 따르면 대규모 정부 보조금과 중국 내수용 고성능 낸드·DDR5 RDIMM 수요에 힘입어 1분기 매출이 전년 대비 수 배 이상 폭증한 것으로 알려졌다. 다만 상장 시기와 공모 규모는 글로벌 자본시장 상황과 당국의 정책 변수에 따라 변동 가능성이 크다.


반도체 업계와 증권가는 이번 중국 기업의 서방 진입 정황을 국내 기업의 레거시(범용) 제품 지배력을 흔드는 변수로 규정한다. 경계현 삼성전자 고문은 최근 시장 진단에서 제조사들의 급격한 증설이 이어지면 오는 2028년쯤 메모리 슈퍼사이클의 탄력이 둔화할 수 있다고 경고했다. CXMT의 영향은 단기적으로 PC용 범용 DDR5에서 먼저 발생할 가능성이 크며, 이는 시장 전반의 가격 반등 속도를 둔화시키고 업황 피크아웃 논쟁을 자극할 수 있다.

다만 서버 및 인공지능(AI) DRAM 시장은 여전히 진입 장벽이 높아 국내 기업에 미칠 타격은 통제 가능한 수준이라는 분석이 우세하다. 업계에서는 중국 변수에 대응하려면 국내 기업들이 레거시 감산 기조를 탄력적으로 유지하는 동시에, DDR4에서 DDR5로의 전환 속도를 높이고 고부가 제품군으로 생산능력을 빠르게 옮겨야 한다고 말한다. 특히 국내 기업들의 고대역폭메모리(HBM) 증설 속도가 기존 레거시 생산능력을 얼마나 잠식(캐파 잠식효과)하며 전체 공급량을 조절할지가 업황 방어의 핵심 변수로 꼽힌다.


중국산 메모리의 거센 추격 속에서 한국 반도체 산업은 범용 제품의 단가 하락 압력을 방어하고 AI향 독점적 공급망을 사수해야 하는 중대한 전환 국면에 직면했다. 투자자는 하반기 시장 흐름을 가꿀 아래 지표를 점검해야 한다.
첫째, 범용 DDR5 고정거래 가격 추이다. 중국산 물량 유입에 따른 단가 하락 속도와 국내 기업 레거시 마진 부침을 파악하는 척도다.

둘째, 삼성·SK의 고대역폭메모리(HBM) 매출 비중이다. 중국의 추격이 불가능한 고부가 차세대 AI 메모리 시장에서의 지배력 강화를 증명하는 지표다.

셋째, CXMT의 상하이 증시 IPO 조달 규모다. 연내 추진될 공모 자금의 크기에 따라 중국의 추가 설비 증설 속도와 공급 과잉 시점을 가늠할 수 있다.


김주원 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com