EUV 없이 HBM 대안 노린다…케플러, 28나노 개조해 양산 도전

미국 반도체 스타트업 케플러컴퓨팅이 고대역폭메모리 대안 생산을 위해 28나노미터 공정을 개조하기로 결정했다.

트렌드포스는 9월 14일(현지시각) 테크파워업을 인용해 케플러가 4억 6800만 달러(약 6291억 원) 투자를 바탕으로 2027년 양산에 들어간다고 보도했다. 고비용 극자외선 장비 의존을 줄이려는 구형 공정 개조 시도가 한국 메모리 제조사의 원가 경쟁 구조에 던질 변수가 시험대에 오른다.


인공지능 수요 확산은 고성능 메모리 공급 부족과 생산 비용 상승을 동시에 불러왔다. 대다수 메모리 제조사는 극자외선(EUV) 노광 장비 도입과 첨단 미세공정 전환에 막대한 자본을 투입하고 있다. 케플러는 이와 다른 경로를 택했다. 첨단 신설 공장 대신 성숙 공정에 독자 3차원 적층 기술과 신소재를 결합하는 방식이다.
케플러는 글로벌파운드리스의 기존 28나노미터 생산 라인을 전환하는 전략을 수립했다. 대만 커머셜타임스는 케플러가 기존 시설 전환을 택했다고 전했다. 메모리 공장을 새로 짓는 방식은 막대한 비용과 긴 시간을 소모한다는 판단이다.

기존 설비를 메모리 생산용으로 개조하는 기간은 약 8개월이 소요될 것으로 추산된다. 이는 신규 팹 건설보다 제품 양산 시점을 크게 앞당길 수 있는 수단으로 꼽힌다.


케플러는 강유전체 메모리(FeRAM) 기술을 적용해 표준 제품 수준의 저장 용량을 유지하면서 제조 단가를 낮출 수 있다고 설명한다. OC3D는 케플러의 강유전체 메모리 방식이 SRAM 수준의 와트당 대역폭에 다가서면서 용량을 10배 늘리는 목표를 세웠다고 전했다. 다만 이 성능 지표는 회사 측이 제시한 목표값이며 독립된 기관의 상업 검증을 거친 결과는 아니다.

기술 검증 작업은 단계적으로 진행되고 있다. 케플러는 지금까지 시험용 웨이퍼 약 2000장을 처리했다. 제품 샘플은 2026년 말 출하를 목표로 설정했다. 2027년 글로벌파운드리스 싱가포르 시설에서 첫 상업 생산을 시작하고 2028년 미국 공장으로 생산 거점을 넓힐 계획이다.

투자금 확보도 이어졌다. 케플러는 글로벌파운드리스, 인텔캐피털, AMD벤처스로부터 4억 6800만 달러(약 6291억 원) 규모 투자를 확보했다.

케플러의 생산 모델이 성공할 경우 한국 메모리 산업의 투자 효율성 전략에 영향을 미칠 수 있다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론은 HBM 증설을 위해 수십억 달러 단위 자본 투자를 집행하고 있다. 성숙 공정 개조가 상업적 대안으로 자리 잡는다면 첨단 팹 신설 위주의 시장 원가 구조에 가격 인하 압박으로 작용할 가능성이 열린다.

단기 시장 구도 변화 가능성은 낮다는 관측이 우세하다. 테크파워업은 케플러가 대규모 상업 생산 체제에서 수율과 기술 신뢰성을 입증하지 못했다고 지적했다. 인공지능 가속기 시장 진입을 위해서는 주요 고객사의 엄격한 품질 검증을 통과해야 한다. 단기적으로 한국 주요 기업이 형성한 시장 지배력이 흔들릴 위험은 낮다.

향후 전개 방향의 핵심은 2026년 말 공개될 첫 제품 샘플의 물리적 특성과 2027년 싱가포르 개조 라인의 상업 수율 달성 여부다. 이 시점에 생산 안정성을 확보하지 못하면 성숙 공정 대안 모델은 실험실 검증 단계에 머무를 수 있다.


김주원 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com