4억 달러 장비 장벽 넘었다…삼성·SK, 2028년 차세대 노광 승부

대당 약 4억 달러(약 5375억 원)에 달하는 차세대 하이 뉴메리컬 어퍼처(High NA) 극자외선 노광장비를 확보하기 위한 글로벌 반도체 기업들의 도입 계획이 가시화됐다.

로이터는 2026년 9월 14일(현지시각) 삼성전자와 SK하이닉스가 2028년부터 메모리 반도체 생산에 하이 NA 장비를 투입할 계획이라고 보도했다. 기존 극자외선 장비 품귀와 미세공정 한계 극복 요구가 맞물리면서 한국 메모리 진영도 조기 양산 적용을 목표로 기술 검증에 들어갔다.


네덜란드 반도체 장비 제조사 에이에스엠엘(ASML)은 2026년 9월 8일 에인트호번에서 대규모 신규 생산 기지 건설을 시작했다. 해당 부지는 사무 공간, 물류 중심지, 제조 시설을 통합해 향후 최대 2만 명 규모 인력을 수용하도록 설계됐다.
인공지능 수요 확장은 장비 품귀를 가속하고 있다. 대당 약 2억 달러(약 2687억 원) 수준인 기존 극자외선(EUV) 장비는 2027년 생산분까지 계약이 사실상 끝났다.

로저 다센(Roger Dassen) ASML 최고재무책임자는 고객사들이 더 많은 장비를 더 빨리 공급해달라는 요청을 지속해서 전달해왔다고 설명했다. 크리스토프 푸케(Christophe Fouquet) 최고경영자 역시 인공지능 열풍이 끝에 도달했다고 보지 않는다며 장비 수요 확대를 확인했다.


차세대 장비인 하이 NA는 대당 가격이 약 4억 달러(약 5375억 원)로 기존 장비의 두 배 수준이다. 회로 선폭을 기존보다 약 40% 축소해 인쇄할 수 있어 제조 공정 단계를 줄이고 생산성을 끌어올릴 수 있다.

가장 먼저 장비를 도입한 미국 인텔은 하이 NA 장비로 웨이퍼 100만 장 이상을 가공하며 생산 처리량과 신뢰성 기준을 충족했다고 밝혔다. 글로벌 노광 장비 시장에서 ASML의 독점 지위는 확고하다.

JP모건 추정에 따르면 2025년 기준 ASML의 글로벌 노광 장비 시장 점유율은 94%에 달한다. 대당 4억 달러라는 가격의 타당성을 의심해 온 대만 TSMC도 입장을 바꿔 2030년부터 하이 NA 기술을 생산에 적용하기로 결정했다. 마이크론은 장비를 발주했으나, 생산 투입 시점은 확정하지 않았다. 네덜란드 증권사 인싱어길리슨의 요스 페르스테이크(Jos Versteeg) 애널리스트는 대체 기술이 없었기 때문에 시장 도입을 의심하지 않았다고 분석했다.

한국 메모리 제조사는 로직 반도체 기업에 비해 완성 칩 크기가 작아 하이 NA 도입 문턱이 상대적으로 낮다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자는 메모리 제조사들이 하이 NA를 대량 양산에 도입하려는 계획에서 상대적으로 더 공격적인 움직임을 보인다고 설명했다. 이에 따라 삼성전자와 SK하이닉스는 2028년부터 메모리 양산 라인에 하이 NA 장비를 순차 도입할 계획을 공식화했다.

다만 대당 5000억 원을 웃도는 장비 도입 비용을 감당할 수 있는 생산성 개선 효과를 입증해야 하는 과제가 남는다. 반도체 업계가 평가해 온 3차원 적층과 첨단 패키징 기술이 예상보다 빠르게 발전해 극미세 회로 축소의 필요성을 낮출 경우, 한국 기업들의 하이 NA 양산 투입 규모와 속도는 조정될 수 있다.


김주원 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com