경영권 인수‧유상증자에 총 1200억원 투자…지분 95.8% 확보
SiC 전력반도체 시장 규모 2026년에 약 6.1조원으로 성장 전망
SiC 전력반도체 시장 규모 2026년에 약 6.1조원으로 성장 전망
이미지 확대보기SK㈜는 국내 유일의 SiC 전력반도체 설계‧제조사 예스파워테크닉스의 경영권 인수와 유상 증자에 총 1200억원을 투자해 지분 95.8%를 확보한다고 27일 밝혔다.
SK㈜는 지난해 1월 268억원을 투자해 예스파워테크닉스 지분 33.6%(2대 주주)를 확보한 후 제품 개발, 공정 업그레이드, 고객 확보 등 SiC 전력반도체 사업 경쟁력 강화를 지원해 왔다. 향후 SK㈜는 지속적인 R&D(연구개발) 투자를 통해 예스파워테크닉스의 SiC 전력반도체 핵심 기술 국산화에 앞장서는 한편, 설비 투자 등 기술 경쟁력을 높임으로써 예스파워테크닉스를 글로벌 SiC 전력반도체 선도 기업으로 육성해 나갈 계획이다.
전력반도체는 전기차, 전자제품, 5G 통신망 등에서 전류 방향과 전력 변환을 제어하는데 쓰이는 필수 반도체다. 이 가운데 SiC 전력반도체는 차세대 전력반도체로서 기존 실리콘(Si) 전력반도체 대비 약 10배의 전압과 수 백도의 고열을 견디는 동시에 두께는 10분의 1 수준 밖에 되지 않는 장점으로 인해 기존 시장을 빠르게 대체해 가고 있다. 앞으로 고전압이 필요한 초급속 전기차 충전 수요가 늘어남에 따라, 전력반도체 시장에서 고전압에도 견딜 수 있는 SiC 전력반도체 채택율은 2025년 60%를 넘을 것으로 전망된다.
SiC 웨이퍼 생산사인 SK실트론을 자회사로 두고 있는 SK㈜는 이번 예스파워테크닉스 인수를 통해 국내 최초로 SiC 전력반도체 소재인 웨이퍼 생산부터 SiC 전력반도체 설계, 제조까지 이르는 밸류체인을 구축하게 됐다. 현재 SiC 전력반도체 시장은 독일, 미국, 일본의 소수 기업이 과점하고 있다. 예스파워테크닉스는 글로벌 선도 업체와의 경쟁이 가능한 1700V 급 고전압 모스펫(MOSFET, 전류의 양을 조절하는 고속 스위칭용 반도체 소자) 기술을 보유한 업체다. 특히 전세계적으로 SiC 웨이퍼 공급 부족이 지속되고 있는 상황에서, 예스파워테크닉스는 SK실트론을 통해 안정적으로 SiC 웨이퍼를 공급받는 등 다양한 시너지가 기대된다. SK㈜는 SK실트론 미국 법인과의 시너지를 통해 미국 기반 SiC 전력반도체 고객 확보를 위한 노력도 병행할 예정이다.
앞으로 SK㈜는 SiC 전력반도체의 글로벌 양산 체제를 갖추는 한편, 글로벌 기업과 협력을 통해 SiC에 기반한 질화갈륨 반도체(GaN on SiC) 등 고부가가치 제품으로 라인을 확장해 나간다는 전략이다. 차세대 전력반도체 신소재로 꼽히는 질화갈륨 반도체는 5G, 위성통신, 레이더 장비 등에 사용된다.
김양택 SK㈜ 첨단소재 투자센터장은 “전기차 핵심 기술 전반에 선제적으로 투자해온 SK㈜는 이번 투자를 통해 빠르게 성장하는 SiC 전력반도체 시장에서 또 하나의 성장 기회를 확보하게 됐다”며 “SiC 전력반도체 기술 고도화와 빠른 글로벌 양산 체제 구축을 통해 전기차 핵심 반도체 소재 기업으로 도약할 것”이라고 말했다.
채명석 글로벌이코노믹 기자 oricms@g-enews.com
































