삼성전자, 美서 '삼성 메모리 테크 데이 2023' 개최

10나노 이하 D램 신구조 도입…HBM3E D램 등 신기술로 시장 선도
AI 기술 혁신 이끌 초고성능 HBM3E D램 '샤인볼트' 첫 선

10월 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 메모리 테크 데이 2023'에서 메모리사업부 이정배 사장이 발표를 하고 있는 모습. 사진=삼성전자

삼성전자는 메모리 테크데이를 통해 초거대 인공지능(AI) 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 대거 공개했다.

삼성전자는 20일(현지시각) 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션 센터에서 '삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023'을 개최했다고 밝혔다. '메모리 역할의 재정의'라는 주제로 열린 이번 행사에는 글로벌 IT 고객과 파트너 등 600여 명이 참석했다. 이정배 삼성전자 메모리사업부 사장과 짐 엘리엇(Jim Elliott) 미주총괄 부사장 등 업계 주요 인사들이 반도체 시장 트렌드와 주요 제품을 소개했다.

삼성전자는 △클라우드 △에지 디바이스(데이터와 연관된 모든 기기) △차량 등 응용처별 기술 트렌드를 공유하고 △AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 5세대 고대역폭메모리(HBM) HBM3E D램 '샤인볼트(Shinebolt)' △차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 'LPDDR5X CAMM2' △스토리지 가상화를 통해 분할 사용이 가능한 'Detachable 탈부착 가능한 차량용(SSDAutoSSD)' 등을 공개했다.

이 자리에서 삼성전자는 지난 5월 12나노급 D램 양산을 시작한 삼성전자는 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 밝혔다. 이어 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입도 준비하고 있는 상태로 이를 바탕으로 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 방침이라고 덧붙였다.

뿐만 아니라 9세대 V낸드에서 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중으로 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다고 전했다. 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다고 강조하기도 했다.

삼성전자가 이번에 처음 공개한 차세대 HBM3E D램 '샤인볼트(Shinebolt)'는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공한다. 이 속도는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도로 UHD화질의 영화 40편을 1초만에 처리할 수 있는 속도다. 삼성전자는 비전도성 접착필름(NCF) 기술 최적화를 통해 칩 사이를 빈틈없이 채워 고단 적층을 구현함으로써 열전도를 극대화해 열 특성을 개선했다고 밝혔다. 현재 HBM3 8단과 12단 제품을 양산 중으로 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다고 전했다. 또 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다.

이외에도 △현존 최대 용량 '32Gb DDR5 D램' △업계 최초 '32Gbps GDDR7 D램' △저장 용량을 획기적으로 향상시켜 최소한의 서버로 방대한 데이터를 처리할 수 있는 'PBSSD' 등도 소개했다.

삼성전자는 사용자 기기단에서 고성능·고용량·저전력·작은 폼팩터 등을 지원하는 솔루션도 공개했다. 업계 최초로 개발한 7.5Gbps LPDDR5X CAMM2은 차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 제품으로 참석자들의 이목을 집중시켰다. △9.6Gbps LPDDR5X D램 △온디바이스 AI에 특화된 LLW D램 △차세대 UFS 제품 △PC용 고용량 QLC SSD BM9C1 등도 공개했다.

삼성전자는 스토리지 가상화를 통해 하나의 SSD를 분할해 여러 개의 SoC가 사용할 수 있는 '탈부착 가능한 차량용 SSD(Detachable AutoSSD)'도 공개했다. 이 제품은 최대 6500MB/s의 연속 읽기 속도를 지원하고 4TB 용량을 제공한다. 탈부착이 가능해 손쉽게 SSD를 교체할 수 있다. 이외에도 차량용 △고대역폭 GDDR7 △패키지 크기를 줄인 LPDDR5X 등도 선보였다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 "초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로, 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것"이라며, "무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌고, 고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 밝혔다. 이어 새로운 구조와 소재 도입을 통해 초거대 AI 시대에서 직면한 난제를 극복해 나가겠다고 강조했다.

한편, 삼성전자는 에너지 효율성을 높이기 위한 친환경 혁신 기술도 발표했다. 초저전력 기술 확보로 메모리 전력 소비량을 절감하고 재활용 소재 적용으로 탄소를 저감할 계획이다. PBSSD 등 차세대 솔루션은 서버 시스템의 공간 효율성과 랙 용량을 증대시켜 고객의 에너지 절감도 기대할 수 있다.

장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com