"반도체 2분기 더 살아난다"…삼성전자, 선두 탈환 전략은

삼성전자가 1분기 영업이익 흑자 전환에 성공하면서 반등의 기반을 마련함에 따라, 2분기에는 수익을 끌어올리는 동시에 업계 선두 탈환까지 노리는 대대적인 공세를 개시했다.

삼성전자는 지난달 30일 1분기 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 반도체 사업을 총괄하는 디바이스솔루션(DS)부문이 1분기 1조9100억원의 영업이익을 기록했다고 밝혔다. 또한 2분기 반도체 업황이 더욱 살아날 것이라 전망하고 D램을 비롯해 낸드와 파운드리, 시스템 LSI사업부 등에서 본격적인 매출확대 전략을 전개하겠다고 공언했다.
불황이 사실상 끝났고, 회복되는 시기에 강하게 드라이브를 걸어 축소한 개발‧생산 역량을 회복하지 못한 경쟁사들을 제치겠다는 의도가 깔려 있다.

삼성전자는 컨퍼런스콜에서 DS부문 각 사업부별 전략을 공개했다. 반도체 시장의 회복을 이끌고 있는 D램부문은 고대역폭메모리(HBM)를 중심으로 시장 공략을 강화한다. 특히 업계 최초로 개발한 HBM3E 12단 제품을 내세워 고객사를 확대한다는 전략이다.

삼성전자는 “D램부문에선 5세대(1b)나노 32Gb(기가비트) DDR5 기반의 128GB(기가바이트) 제품 또한 2분기 양산 및 고객 출하를 통해 서버 시장 내 리더십을 강화할 계획”이라고 말했다. 다만 “HBM 체제로 생산체제가 변화하고 생산물량이 집중되면서 D램부문은 전반적인 생산 제약이 예상된다”고 덧붙였다.



낸드부문에선 솔리드스테이트드라이브(SSD) 판매를 확대하고 2분기 중 초고용량 64TB(테라바이트) 제품의 개발 및 샘플 제공을 통해 인공지능(AI)용 수요에 적기 대응한다. 더불어 업계 최초로 3분기 V9 쿼드러플레벨셀(QLC) 양산을 통해 기술 리더십을 더욱 공고히 한다.

대만 TSMC를 비롯해 미국 인텔 등과 경쟁하고 있는 파운드리 부문은 선단공정 기술 개발이 순조로운 것으로 알려졌다. 삼성전자는 “4nm(나노미터·10억분의 1m) 공정은 수요 안정화로 티어 1 고객 중심으로 제품 생산을 크게 확대했다”면서 “선단공정 경쟁력 향상으로 역대 동기 최대 수주 실적 기록을 달성했다”고 강조했다.
이를 바탕으로 삼성전자는 파운드리부문이 2분기부터 매출이 반등해 전분기 대비 두 자릿수의 매출 성장을 이룰 것으로 기대하고 있다. 특히 “2nm 설계 인프라 개발을 완료하고 3차원직접회로(3DIC) 적용이 가능한 4nm 공정도 준비를 완료해 선단 공정 경쟁력을 지속 확대할 수 있도록 노력하겠다”고 밝혔다.

시스템 LSI사업부는 주요 고객사 신제품용 시스템온칩(SoC), 센서 등 부품 공급이 증가했지만 패널 수요 둔화에 따라 디스플레이구동칩(DDI) 판매 감소로 실적 개선은 예상 대비 둔화됐다. 삼성전자는 "스마트폰 판매가 이제 회복 조짐을 보이고 있다"면서 2분기 매출 향상을 기대했다.

이러한 가운데 삼성전자는 오는 6월 16일(현지 시각)부터 미국 하와이에서 개최되는 세계 최고 권위의 반도체학회 ‘VLSI 심포지엄 2024’에서 2나노(SF2) 공정에 적용하는 3세대 게이트올어라운드(GAA) 특성 관련 논문을 발표할 것으로 알려졌다.


장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com