장태수 SK하이닉스 부사장, 제52회 상공의 날 대통령 표창 수상

SK하이닉스는 장태수 SK하이닉스 미래기술연구원 산하 담당 부사장이 19일 서울 중구 대한상공회의소(대한상의)에서 열린 '제52회 상공의 날' 기념 행사에서 대통령 표창을 받았다고 20일 밝혔다.

상공의 날은 산업·경제 발전을 이끈 상공업자의 노고를 기리고 기업 경쟁력을 높이기 위해 제정된 기념일이다. 매년 상공업 발전에 기여한 기업인·근로자·단체 등을 대상으로 시상식이 열린다.

장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 10nm(10억분의 1m, 나노미터)급 6세대(1c) 미세공정 기술이 적용된 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로를 높이 평가받았다.

장 부사장은 20년간 메모리 선행 기술 및 소자 연구에 매진한 전문가다. 44나노부터 10나노까지 10세대에 걸쳐 핵심 기술 개발에 참여했다. 특히 기존 소자의 미세화 한계를 극복하기 위해 말 안장 모양의 핀펫(FinFET)인 새들핀 구조를 개발해 D램 셀 트랜지스터에 성공적으로 적용해 44나노 D램을 세계 최초로 양산하는 데 기여했다. 이 기술은 모든 D램 제조사로 확산되며 업계 표준으로 자리 잡았다.
‘1c D램 개발 TF’에서 소자 총괄 리더로 참여한 이후 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 1c DDR5 D램을 개발하는 성과를 냈다. 장 부사장은 이번에 개발한 기술이 HBM 성능을 높이는 데에도 기여할 것으로 내다봤다. 그는 “D램 셀 크기를 줄이면 동일 규격의 실리콘 안에 더 많은 D램 셀을 배치할 수 있다"면서 미세화를 통해 작아진 칩과 감소된 전력은 HBM 열 관리에도 긍정적인 효과를 낸다"고 전했다.

장 부사장은 “세계 최초, 최단 기간 내 개발을 통해 SK하이닉스가 가장 먼저 기술 주도권을 확보했기 때문”이라면서 "1c DDR5 D램 개발로 SK하이닉스는 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것”이라고 밝혔다.


장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com