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SK하이닉스, 업계 최초 개발 ‘고방열 모바일 D램’ 공급 개시

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SK하이닉스, 업계 최초 개발 ‘고방열 모바일 D램’ 공급 개시

제품 패키징에 ‘High-K EMC’ 적용… 열전도 3.5배·열 저항 47% 개선
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SK하이닉스는 업계 최초로 ‘High-K 에폭시몰딩컴파운드(EMC)’ 소재를 적용한 고방열 모바일 D램 제품을 개발해 고객사들에 공급을 개시했다.

28일 업계에 따르면 SK하이닉스는 기존에 EMC의 소재로 사용하던 실리카에 알루미나를 혼합 적용한 신소재인 High-K EMC를 개발해 적용함으로써 열전도도를 기존 대비 3.5배 수준으로 향상 시켰다. 그 결과 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항을 47% 개선하는 성과를 거뒀다.

EMC란 수분·열·충격·전하 등 다양한 외부 환경으로부터 반도체를 밀봉해 보호하고 열을 방출하는 통로 역할도 하는 반도체 후공정 필수 재료를 말한다. 통상 최신 플래그십 스마트폰은 모바일 애플리케이션프로세서(AP) 위에 D램을 적층하는 PoP방식을 적용하고 있다. 이 구조는 한정된 공간을 효율적으로 활용하고 데이터 처리 속도를 향상시키는 장점이 있지만 AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적되면서 스마트폰 성능 저하를 불러오는 문제점이 있었다.

SK하이닉스는 이 문제를 해결하기 위해 D램 패키지를 감싸는 핵심 소재인 EMC의 열전도 성능 향상에 주력했다. SK하이닉스는 "온디바이스 AI 구현을 위한 데이터 고속 처리 시 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 주요 원인이 되고 있다"며, "이번 제품으로 고사양 플래그십 스마트폰의 발열 문제를 해결해 글로벌 고객사들로부터 높은 평가를 받고 있다"고 밝혔다.
향상된 방열 성능은 스마트폰의 성능 개선과 소비전력 절감을 통해 배터리 지속시간, 제품 수명 연장 효과를 낼 수 있다. 이에 모바일 업계에서 이 제품에 대한 관심과 수요가 높아질 것으로 전망된다.

이규제 SK하이닉스 부사장(PKG제품개발 담당)은 “이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어, 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 기여한다는 점에서 큰 의미가 있다”며 “소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 구축해 나가겠다”고 강조했다.


장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com