SK하이닉스, 용인 2기 팹·청주 M17에 54조 투자…D램·낸드 동시 증설

SK하이닉스가 경기 용인과 충북 청주에 신규 반도체 팹을 짓는 데 54조원을 투자한다.

SK하이닉스는 이사회 결의를 거쳐 용인 D램 팹 'Y2'에 35조2000억원, 청주 낸드 팹 'M17'에 19조1000억원 등 총 54조원을 투자하기로 했다고 7일 밝혔다. 인공지능(AI) 시대 지속 성장하는 메모리 수요에 대응하기 위한 결정이다.

이번 투자는 지난 6월 밝힌 중장기 투자 전략을 단계적으로 이행하는 과정이다. SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터에 600조원, 청주 생산기지 확대에 100조원을 투입한다는 계획 아래 현재 용인 1기 팹(Y1)을 짓고 있으며, 이번 결정으로 용인·청주에서 후속 팹 건설에 나선다.

SK하이닉스에 따르면 시장조사업체 옴디아(Omdia)는 D램·낸드 수요가 지난해부터 2030년까지 연평균 19%씩 성장할 것으로 전망했다. SK하이닉스는 "메모리가 단순 부품을 넘어 AI 성능을 좌우하는 핵심 인프라로 자리 잡으면서 나타나는 구조적 성장"이라며 "고객이 필요로 하는 시점에 필요한 물량을 공급하는 능력이 곧 경쟁력인 시대인 만큼 면밀한 수요 검토를 거쳐 이번 투자를 결정했다"고 설명했다.
Y2는 용인 반도체 클러스터에 순차 조성되는 총 4기 팹 중 두 번째로, 연면적 34.1만평 규모의 D램 생산 거점이다. 내년 7월 착공해 2029년 6월 첫 클린룸을 열고 HBM 등 차세대 D램을 생산할 계획이다. 투자는 2031년 10월까지 순차 집행된다. Y1은 내년 2월 첫 클린룸 오픈을 목표로 공사가 진행 중이다.

SK하이닉스는 앞서 당초 2045년으로 예정했던 용인 클러스터 완공 시점을 12년 앞당겨 2033년까지 4기 팹 건설을 마친다는 목표를 세운 바 있다. 경기 용인시 처인구 원삼면 일대 약 126만평 규모로 조성되는 클러스터는 Y2 가동에 필요한 1단계 전력·용수 인프라 구축이 99% 공정률로 마무리 단계에 있다.

낸드는 AI 서비스 확산에 따라 엔터프라이즈 SSD를 중심으로 수요가 늘고 있다. 여기에 AI 추론 과정에서 이전 계산 결과를 저장해 재활용하는 KV캐시 저장 수요가 더해지고, 에이전틱·피지컬 AI 도입으로 적용 분야가 더 넓어질 전망이다.

SK하이닉스는 새 낸드 생산 거점으로 청주를 택한 이유로 가장 빠른 팹 건설이 가능하다는 점을 들었다. 청주캠퍼스에는 이미 낸드 생산 팹인 M11·M12·M15가 있어 기존 팹과 연계한 효율적 생산이 가능하고, 부지와 전력·용수도 상당 부분 갖춰져 있다는 설명이다. M17은 연면적 20.6만평 규모로, 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 클린룸을 연다. 투자는 2031년 4월까지 단계적으로 집행된다.

SK하이닉스는 고객과 논의해온 중장기 수요를 바탕으로 생산 인프라를 선제적으로 확보하되, 실제 생산능력은 고객이 필요로 하는 시점에 맞춰 확대한다는 방침이다. 팹 건설은 계획된 일정대로 진행하고, 클린룸 증설과 장비 투입은 수요 흐름에 맞춰 순차적으로 이어가 투자 효율성을 높인다는 설명이다.
SK하이닉스 관계자는 "시장 성장 속도에 맞춰 기회를 놓치지 않기 위한 전략적 결정"이라며 "선제적 생산 기반 확보를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망 안정에 기여하는 핵심 파트너로 자리매김하겠다"고 말했다.


유덕규 글로벌이코노믹 기자 udeok@g-enews.com