SK하이닉스, FMS 2026서 HBM·D램·HBF·SSD 연계 차세대 아키텍처 제시

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 중심의 인공지능(AI) 메모리 전략을 D램과 낸드, 솔리드스테이트드라이브(SSD)까지 넓힌다. AI가 처리하는 데이터가 급증하자 서로 다른 메모리를 연결해 시스템 효율을 높이는 ‘계층형 메모리’를 차세대 AI 인프라 해법으로 제시했다.

7일 SK하이닉스에 따르면 회사는 지난 4일부터 6일(현지 시)까지 미국 캘리포니아 산타클라라에서 열린 ‘FMS 2026’에 참가해 차세대 AI 메모리 제품과 기술을 공개했다.

이 전략은 속도와 용량, 비용 특성이 다른 HBM과 D램, 낸드, SSD 등을 용도에 맞게 배치하고 연결하는 것이 핵심이다. AI 모델이 고도화하면서 처리해야 할 데이터가 크게 늘자 각 메모리의 장점을 활용해 데이터 이동을 줄이고 시스템 효율을 높이겠다는 것이다.

김천성 SK하이닉스 솔루션개발 부문장은 “HBM, DRAM, NAND(HBF), SSD 등 각 메모리 계층을 어떤 위치에 배치하고 어떻게 연결해 데이터 이동을 최소화하느냐가 전체 효율을 좌우하게 될 것”이라고 말했다. 이어 “앞으로는 모든 메모리 계층을 아우르는 최적화된 아키텍처를 구현하는 역량이 AI 인프라 경쟁력의 핵심이 될 것”이라고 강조했다.
HBM과 SSD 사이를 메울 새로운 메모리인 HBF(High Bandwidth Flash)도 제시했다. HBF는 HBM처럼 수직관통전극(TSV)을 활용해 낸드의 대용량 특성과 높은 데이터 전송 성능을 결합한 차세대 낸드 솔루션이다.

SK하이닉스는 행사 마지막 날 구글, 샌디스크 등과 HBF 개발 방향을 논의했다. 회사는 HBF가 HBM과 SSD 사이의 새로운 메모리 계층으로 자리 잡을 가능성이 있다고 보고 관련 기술 확보와 표준화를 추진하고 있다.

HBM에서는 엔비디아와의 협력을 강조했다. 전시장에는 HBM4와 엔비디아 차세대 AI 가속기 ‘베라 루빈(Vera Rubin)’ 모형을 나란히 배치하고 HBM4E 48GB 12단, HBM4 48GB 16단 등 차세대 제품을 선보였다.

낸드 분야에서는 웨이퍼 본딩을 적용한 375단 4D 낸드를 공개했다. 이전 세대보다 전력 대비 성능을 2.5배 높인 제품으로 이를 기반으로 한 고성능 기업용 SSD(eSSD)는 내년 상반기 양산할 예정이다.

CXL을 활용한 AI 추론 기술도 시연했다. 여러 서버와 GPU가 메모리 자원을 공유하는 ‘CXL Pooled Memory’를 비롯해 D램과 SSD를 결합한 CMM-Hybrid, 메모리에 연산 기능을 탑재한 CMM-Ax 등을 공개했다.
SK하이닉스는 이들 기술을 바탕으로 AI 시스템에 필요한 메모리 전반의 최적화 역량을 강화한다는 계획이다.


이다현 글로벌이코노믹 기자 dh2@g-enews.com