日 신에츠·닛산 점유율 10% 뺏었다... DUV 공정 KrF 포토레지스트 30배 폭증
양쯔메모리 투자사 참여, 1조 자금으로 낸드·D램용 첨단 소재 국산화 가속
양쯔메모리 투자사 참여, 1조 자금으로 낸드·D램용 첨단 소재 국산화 가속
이미지 확대보기현재 중국 반도체 소재 시장은 듀폰(DuPont), 신에츠(Shin-Etsu), 도쿄오카(Tokyo Ohka), 닛산 케미컬(Nissan Chemical), 후지필름(Fujifilm) 등 미국 및 일본 기업이 포토레지스트와 전구체 시장을 지배하고 있으며, 중국의 수입 의존도는 여전히 높다. 그러나 중국 매체 '36Kr'이 웨이보 사용자 'ZeR0'의 정보를 인용해 보도했듯이, 2004년 설립된 헝쿤 신소재는 중국 내에서 128단 이상의 3D 낸드(NAND) 플래시, 18나노미터(nm) 이하 D램, 14nm 이하 로직 칩을 생산하는 파운드리(반도체 위탁생산)에 포토레지스트 솔루션을 제공하며 국내 소재 공백을 메우는 데 주력해 왔다.
특히 '텐센트' 보도에 따르면, 헝쿤 신소재의 전략적 투자자 중 하나로 중국 최대 낸드 제조업체인 양쯔 메모리 테크놀로지(YMTC)가 후원하는 창춘 훙투 투자조합(Changcun Hongtu Equity Investment (Wuhan) Partnership (Limited Partnership))이 4000만 위안(약 82억 원)을 출자한 사실이 확인됐다. 이는 헝쿤 신소재의 성장이 단순한 개별 기업의 성장을 넘어 중국 반도체 자립의 핵심 축인 메모리 분야와 긴밀히 연계된 국가적 차원의 전략적 중요성을 내포할 가능성을 시사한다.
낸드·D램용 포토레지스트: 국산화 성과 지표
헝쿤 신소재의 기업공개(IPO)는 중국의 반도체 소재 국산화에 대규모 투자 자금이 투입될 것임을 예고한다. '36Kr'에 따르면, 헝쿤은 이번 상장을 통해 10억 1000만 위안(순 8억 9,200만 위안)을 조달했으며, 이 자금을 2단계 IC 전구체 프로젝트와 첨단 IC 소재 프로젝트에 집중 투입할 예정이다. 이 프로젝트들을 통해 약 500톤 규모의 KrF(불화크립톤) 및 ArF(불화아르곤) 포토레지스트 등 리소그래피 소재와 760톤 규모의 TEOS(테트라에틸 오르토실리케이트)를 포함한 전구체 소재의 생산 능력을 확충할 계획이다.
헝쿤 신소재는 최근 몇 년간 급격한 실적 개선을 보여왔다. '이지웨이' 보고서에 따르면, 2022년부터 2024년까지 회사의 매출은 3억 2200만 위안(약 663억 원)에서 5억 4800만 위안(약 1128억 원)으로 증가했으며, 순이익은 약 9000만 위안(약 185억 원) 수준을 안정적으로 유지했다. '36Kr'은 헝쿤 신소재가 자체 개발한 SOC(Spin-On Carbon), BARC(Bottom Anti-Reflective Coating), KrF 및 i-Line 포토레지스트, 그리고 전구체인 TEOS 등 주요 제품들이 모두 양산 체제를 갖추었다고 밝혔다.
특히 웨이퍼 리소그래피 공정의 필수 소재인 SOC 제품의 성장은 주목할 만하다. '이지웨이'의 분석 결과, 헝쿤의 SOC 제품 매출은 3년간 세 배 가까이 성장하여 2024년에 2억 3200만 위안(약 477억 원)을 기록했으며, 이를 통해 국내 시장 점유율 10% 이상을 확보하며 닛산 케미컬 및 신에츠와 같은 해외 공급업체의 영역을 대체하기 시작했다. 이와 함께 BARC 제품 역시 2021년 이후 연간 140%가 넘는 높은 성장률을 유지해왔다.
DUV용 핵심 소재: KrF·ArF 폭발적 성장
헝쿤 신소재의 기술력을 보여주는 핵심 제품은 심자외선(DUV) 리소그래피 공정에 사용되는 ArF 및 KrF 포토레지스트다. '이지웨이'의 보고에 따르면, 2022년 처음 출시된 KrF 포토레지스트의 매출은 2024년까지 약 30배 가까이 급증하여 1352만 위안(약 27억 8000만 원)에 달했다.
KrF 포토레지스트가 웨이퍼 공정에서 핵심 소재임에도 불구하고 현재 중국 내 채택률은 1%에서 2% 수준에 머물고 있다는 점을 고려할 때, 헝쿤의 이러한 성과는 국산화의 초기 성공 사례로 해석된다. 또한 '36Kr'은 헝쿤의 ArF 액침 포토레지스트가 검증을 완료하고 소규모 판매 단계에 진입했으며, 이 제품은 주로 첨단 낸드 및 D램 메모리 칩과 90nm 노드 이하의 로직 칩 제조에 활용된다고 밝혔다. ArF 포토레지스트의 국내 채택률이 1% 미만인 상황에서 이룬 헝쿤의 성장은 국내 대체 움직임이 본격화되고 있음을 강력하게 시사한다.
박정한 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com
































