日 경제성 “훗카이도에 첨단 반도체 개발 거점 조성...2029년까지 완료 목표”

일본 경제산업성이 훗카이도에 첨단 반도체 기술 개발 거점을 조성하고 대규모 투자를 유치할 계획이라고 발표했다.

12일 교도통신에 따르면 경제산업성은 홋카이도 치토세시에 첨단 반도체 기술 개발을 집대성할 수 있는 시설을 조성할 계획을 밝혔다. 시설 조성 완료 목표 시기는 2029년이다.

훗카이도 치토세시 근방에는 차세대 반도체 완전 자국화를 위해 투자하고 있는 라피더스 공장이 위치해 있다.

아카자와 료세이 경제산업상은 “이 개발 거점에서 기업과 대학의 협력을 이끌어내고 일본이 강점을 가진 제조 장비나 소재 등 관련 분야 연구를 집대성할 것”이라고 밝혔다.
또 산업기술종합연구소(산총연)를 투입해 고성능 반도체 노광 장비도 도입하며 해외 기업과의 협력도 계획한다는 입장이다.

아카자와 경제산업성은 “반도체 수요가 세계적으로 높아지고 있는 만큼 연구 개발 촉진이 필요하다는 입장”이라고 말했다.

일본이 핵심으로 주목하고 있는 것은 노광 장치다. 노광 장치는 반도체 제조 공정에서 회로 패턴을 실리콘 웨이퍼에 전사하는 정밀 기기다. 반도체 미세화에 필수적이지만 비용이 높기 때문에 이를 해결할 수 있는 연구와 개발이 진행될 전망이다.

한편 일본 차세대 반도체 완전 자국화 계획의 제일선에 서 있는 라피더스는 미국 IBM의 기술 협력을 통해 세계에서 상용 사례가 없는 회로 선폭 2나노미터(나노는 10억분의 1) 상당의 첨단 반도체 양산을 2027년 하반기에 시작할 예정이다. 이후 2~3년마다 한층 향상된 고성능 제품의 양산도 실시한다는 입장이다.

이용수 글로벌이코노믹 기자 piscrait@g-enews.com