ASML 특허 우회한 중국… 반도체 장비 독점 뚫나

중국 연구진이 네덜란드 ASML의 핵심 특허 2000여 개를 회피하는 극자외선(UVE) 광원 우회 설계 기술을 선보였다. 미국 수출 규제로 7나노미터 이하 첨단 반도체 제조 장비 도입이 막히자, 중국은 독자 기술 확보에 나섰다. 1나노미터는 10억분의 1m를 의미한다.

스페인 매체 사타카는 7월 24일(현지시각) 보도에서 중국과학원 산하 상하이 광학정밀기계연구소가 고체 표적과 고체 레이저를 결합한 새로운 UVE 광원 플랫폼을 조립했다고 보도했다.

ASML 출신 린난 박사가 이끄는 연구진은 이산화탄소 레이저로 액체 주석 방울을 맞추는 기존 LPP 방식을 피했다. 연구진은 1미크론 파장의 고체 레이저로 고체 주석 표적을 타격하는 우회 방식을 채택해 ASML 특허 포트폴리오 의존도를 낮췄다.

이 같은 장비 자립 시도는 거대한 자금 조달 움직임과 맞물린다. 블룸버그통신은 지난 23일 보도에서 중국 메모리 반도체 기업 창신메모리테크놀로지가 상하이 증권거래소 커창반 상장을 통해 최대 98억 달러(약 14조 4600억 원)를 조달한다고 보도했다.
중국 정부는 주가 방어를 위해 커창반 상장지수펀드에 138억 위안(약 3조 원)의 국유 자금을 투입했다. 시장에서는 민간 자금이 창신메모리 공모주로 쏠리며 발생하는 증시 변동성을 완화하고 자국 반도체 산업을 육성하려는 이중 목적을 겨냥한 조치로 해석한다.


우회 설계 성공에도 불구하고 실제 양산 공정 적용까지는 검증할 과제가 많다. 글로벌 반도체 공급망 전체가 기존 이산화탄소 레이저 아키텍처와 소재, 검사 장비에 맞춰진 까닭이다.

중국 칼럼니스트 추옌팡은 사타카가 24일 보도한 인터뷰에서 이번 성과는 기술적 우회 설계의 성공이라고 진단했다. 추옌팡은 글로벌 생태계가 이미 기존 방식에 맞춰져 있어 단기적으로 ASML 독점을 흔들기는 어렵다고 설명했다.

중국 정부는 2028년 상용 칩 생산을 목표로 정했다. 서구 시장 전문가들은 현재 공개 논문 기준 에너지 변환 효율이 상용 장비 요구 수준에 미달한다고 평가한다. 전문가들은 공정 신뢰성 검증이 더 필요하다는 점을 들어 2030년 이후가 더 현실적인 시점이라고 본다.
선전 보안 연구소에서는 화웨이 주도로 극자외선 노광장비 시제품 조립이 진행 중이다. 하얼빈공대가 광원을 맡고 장춘광학기계연구소가 광학계를 담당한다. 상하이마이크로일렉트로닉스는 최종 조립을 담당하는 구조다.


장비 자립 노력은 인공지능 분야의 자원 부족을 극복하려는 전략과 궤를 같이한다. 미국 수출 규제로 첨단 그래픽처리장치 수급이 막혔기 때문이다.

니혼게이자이신문은 지난 23일 보도에서 중국 인공지능 기업 디프시크의 량원펑 최고경영자가 미국과 중국 인공지능의 격차는 인재가 아닌 계산 자원이라고 말했다고 보도했다.

량원펑 최고경영자는 중국 연산 자원이 미국의 20분의 1 수준이며 성능도 1년에서 2년가량 뒤처졌다고 인정했다. 량 최고경영자는 적은 연산 자원으로 격차를 3개월에서 6개월 사이로 줄이는 것이 목표라고 밝혔다.

디프시크는 낮은 이용료와 오픈소스 정책을 유지해 기술 생태계를 확장할 방침이다. 디프시크는 범용인공지능 실현을 장기 목표로 제시했으나 이는 회사 측이 공식적으로 내세우는 경영 비전 선언이다.


김주원 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com