TSMC, 3D D램 진출설에 선 그어…“파운드리 집중”

세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 TSMC가 엔비디아의 요청으로 차세대 3차원(3D) D램 생산을 검토하고 있다는 외신 보도에 대해 기존 파운드리 사업에 집중하겠다는 입장을 내놨다.

7일(현지시간) 미국 정보기술(IT) 매체 톰스하드웨어 등에 따르면 TSMC 대변인은 최근 불거진 메모리 반도체 시장 진출설과 관련해 “회사는 언제나 반도체 위탁생산이라는 핵심 사업에 집중하고 있다”고 밝혔다.
이어 글로벌 로직(비메모리) 반도체 산업에서 신뢰받는 기술과 생산능력 공급자로 남는 것이 회사의 목표라고 강조했다. 대만 공상시보 역시 TSMC가 시장의 소문이나 추측에 대한 구체적인 언급 없이 기존 사업에 집중하겠다는 입장을 유지했다고 전했다.

앞서 미국 IT 전문매체 디인포메이션은 지난 6일 TSMC가 엔비디아의 요청을 받아 3D D램 생산 계획을 마련하기 시작했다고 보도했다. 신규 반도체 공장 건설과 기존 공장 인수·전환 등이 검토 대상에 올랐으며, 첨단 패키징 사업을 담당하는 쉬궈진 부사장이 관련 프로젝트를 이끄는 것으로 알려졌다.

다만 구체적인 양산 일정은 공개되지 않았다. 보도 당시 TSMC와 엔비디아는 로이터통신의 논평 요청에도 즉각 답변하지 않았다.

대만 반도체 업계에서는 TSMC의 메모리 시장 진출 가능성을 신중하게 바라보고 있다. 대만 경제일보에 따르면 자오유쥔 윈본드 회장은 D램 사업에 진출하려면 독자적인 제조 기술 확보와 복잡한 특허 문제 해결이 선행돼야 한다고 지적했다.

특히 TSMC가 삼성전자와 윈본드 등 메모리 기업들과 첨단 패키징 분야에서 긴밀한 협력 관계를 유지하고 있는 만큼 자체 D램 개발에 나설 경우 기존 파트너십과 내부 자원 배분 문제를 고려해야 한다는 설명이다.
반면 사업 진출 가능성을 배제하기 어렵다는 분석도 나온다. 류페이전 대만경제연구원 산업경제자료센터 책임자는 기술 확장과 고객사의 공급망 다변화 측면에서 TSMC의 3D D램 사업 진출이 불가능한 것은 아니라고 평가했다.

다만 대규모 투자에 따른 부담과 수익성, 기존 메모리 협력사와의 관계 등을 감안하면 단기적으로는 직접 양산보다 공동개발이나 특정 기술 검증에 집중할 가능성이 크다고 전망했다.

이번에 거론된 3D D램은 삼성전자와 SK하이닉스 등이 주력으로 생산하는 고대역폭메모리(HBM)와 기술적 차이가 있다.

3D D램은 반도체 미세화의 한계를 극복하기 위해 메모리 셀 자체를 수직으로 쌓는 차세대 기술이다. 반면 HBM은 완성된 D램 칩 여러 개를 수직으로 적층해 데이터 처리 속도를 높이는 방식이다.

반도체 업계에서는 TSMC가 첨단 패키징과 로직 반도체 분야에서 사업을 확대하더라도 이를 곧바로 삼성전자·SK하이닉스와의 D램 직접 경쟁으로 연결 짓기는 어렵다는 분석이 나온다.


김진태 글로벌이코노믹 기자 kjt@g-enews.com