SK하이닉스, 와이드 IO2 모바일 D램 개발

SK하이닉스(대표이사 박성욱)는 업계 최초로 고성능 와이드 IO2 모바일 D램을 개발하는데 성공했다고 3일 밝혔다.

와이드 IO2는 JEDEC(국제 반도체공학 표준 협의기구)가 진행하고 있는 차세대 고성능 모바일 D램의 일종이다. 이번에 SK하이닉스가 개발한 램은 20나노급 공정이 적용된 8Gb(기가비트) 용량의 제품이다.

LPDDR4(저전력)설계와 같은 1.1V 전압에서 동작할 수 있는 특성을 강화하고 정보입출구(In/Out)의 수도 확장해 데이터 처리속도을 높였다.

초당 처리 용량 기준으로 기존 LPDDR4 보다 4배 빨라져 현존하는 모바일 D램 가운데 최고 성능을 보유했다.
기존 LPDDR4는 3200Mbps 속도로 32개의 정보입출구를 담당해 초당 12.8GB(기가바이트)의 데이터 처리가 가능했다. 반면 와이드 IO2는 하나의 정보입출구에서 800Mbps의 속도로 동작하는 대신 512개의 정보출입구를 통해 초당 51.2GB의 데이터가 처리된다.

SK하이닉스는 이미 주요 SoC(System on Chip) 업체에 IO2 샘플을 공급해 시험 적용에 들어갔다. 내년 하반기부터는 양산체제에 들어가 고성능 모바일 D램 시장 공략을 강화한다는 방침이다.